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《电弧离子镀沉积TiN_AlN_TiAlN复合膜的耐磨性》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、《装备制造技术》2010年第2期"!!!!"!!试验与研究"!!!!"电弧离子镀沉积TiN/AlN-TiAlN复合膜的耐磨性李争显,王少鹏,潘晓龙,杜继红,王宝云,严鹏(西北有色金属研究院腐蚀与防护研究所,陕西西安710016)摘要:采用高纯铝、钛靶材,通过电弧离子镀工艺在TC4基材上沉积制备了TiN/AlN-TiAlN复合多层膜,用HV-1000型显微硬度计测试了膜层的硬度,用球盘磨损试验对比研究了膜层和基材的耐磨性。结果表明:膜层硬度为2856HV,耐磨性相比基材提高6倍以上。关键词:电弧离子镀;复合膜;耐磨性中图分类号:TG174.
2、44文献标识码:A文章编号:1672-545X(2010)02-0001-02钛合金具有比强度高、耐腐蚀性能优异、中温性能稳定等2结果及讨论优点,使其在航空工业具有广阔的应用前景[1]。但钛合金的摩擦系数大,抗粘着磨损性能差,在作为磨损部件时,容易造成2.1膜层的表面硬度部件的磨损失效[2]。因此,为提高钛合金的耐磨性,延长钛合金3500部件的使用寿命,必须对钛合金进行表面改性处理。28563000电弧离子镀技术(ArcIonPlatnig,简称AIP),是将电弧等2500离子体应用于表面领域的一种先进的薄膜沉积技术。具有沉2000积速度
3、快、绕镀性好、膜与基体结合力高、膜层致密性好、基材1500温度低等优点[3~5]。利用电弧离子镀技术在钛合金表面沉积硬1000Micro-hardness(HV)500322度高的氮化物膜层,可增加钛合金的表面硬度,改善钛合金的0耐磨性,同时对钛合金基材的性能影响很小。TC4TiN/AIN-TiAIN本文以高纯的Ti和Al作为靶材,采用电弧离子镀技术,图1膜层与基材的表面硬度对比通过控制相应的工艺参数,在钛合金TC4表面沉积了图1为采用电弧离子镀工艺沉积的TiN/AlN-TiAlN复合TiN/AlN-TiAlN复合膜层,对比研究了复合膜层
4、和TC4基材的膜层的显微硬度测试结果,硬度值为同一个试样5个测量数据硬度及耐磨性。的平均值。从硬度测量结果可以看出,电弧离子镀工艺沉积的TiN/AlN-TiAlN复合膜层的硬度为2856HV,硬度值远远高于1试验材料及方法TC4基材,约是基材的8.9倍,表面硬度得到了明显的改善。TiN和AlN同属立方结构,TiAlN是在TiN的基础上发展试验用基材为西北有色金属研究院生产的TC4合金,经起来的,其结构保持TiN的立方结构,部分Ti原子由铝原子替机加工成30mm×30mm×5mm的试样片。电弧离子镀靶材代。由于TiN、AlN和TiAlN三者
5、同属立方结构,在复合膜层沉采用纯度为99.99%的铝靶和钛靶。镀膜前试样经机械打磨、积过程中,由于在界面处共格生长产生畸变能,增加了位错运抛光、清洗。沉积设备为SP-0810AS型多功能真空镀膜机。沉动的阻碍作用,从而提高了膜层的硬度。另外,TiN和AlN在积时,将试样装夹在试样架上,试样架以一定的速度转动,使弹性模量上存在较大差异,TiN为590kN/mm2,AlN为350试样在不同的时间面向不同的靶材。试样面向Ti靶时,在试kN/mm2,TiAlN的弹性模量介于两个之间,由于弹性模量的较样表面沉积TiN层;而面向Al靶时,可在试样表面
6、沉积AlN大差异,将阻碍位错线沿界面穿过[6~8],有利于改善复合膜层的层;在两个靶之间时,可沉积TiAlN层。通过合理的控制试样硬度,所以采用电弧离子镀沉积的TiN/AlN-TiAlN复合膜层的架的转速及沉积工艺参数,在TC4试样表面沉积TiN/AlN-显微硬度,达到2856HV的超硬程度。TiAlN复合膜层。用HV-1000型显微硬度计,测量了复合膜层2.2膜层与基材的摩擦性能的表面硬度,测试条件为:维氏压头,载荷0.245N,保载时间图2为电弧离子镀工艺沉积的TiN/AlN-TiAlN复合膜层15s。用BD-2型球盘磨损试验机对比研
7、究了复合膜层和TC4和TC4基材磨损失重结果对比。其测试方法采用球盘磨损方基材的耐磨性,测试条件为:直径5mm刚玉球配副、压力5N、式,配副为刚玉球。复合膜层试样及TC4基材试样作为盘试磨痕轨迹直径Ф20mm、干摩擦(无润滑),利用磨损失重表征样,固定不动,刚玉球试样以一定的速度在盘试样表面做圆周耐磨性,并用扫描电镜观察了复合膜层的磨痕形貌。滑动,球试样不转动,在球和盘之间产生滑动磨损,其接触方式为球—平面接触。测试时,复合膜层试样及TC4基材试样采基金项目:广西制造系统与先进制造技术重点实验室开放基金项目(桂科能0842006_035_
8、K)作者简介:李争显(1962—),男,陕西武功人,教授,博士,主要研究材料表面技术及涂层材料。1EquipmentManufactringTechnologyNo.2,2010用相同的规格,
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