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时间:2019-05-11
《GaN声电荷输运器件理论研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、毕业论文题目:鱼型壹垫盘捡重鲞鲑里途盟塞重鲎专业2QQ墨级硕士生姓名:堡整竖指导教师(姓名、职称):吴浩东教授摘要声电荷输运器件(简称ACT器件)作为一种新型信号处理器件,弥补了电荷耦合器件与声表面波器件的不足,实现了低功耗高速高频可编程强大模拟信号处理功能,被广泛应用于军事防御及商业系统中。以声表面波作为时钟信号抽样输入信号的特点,使得ACT器件在可编程与数字处理方面优势突出,适合高强度多重复的流水线信号处理,如卷积和相关运算,解决了数字计算难以高效完成的难题。本文详细地介绍了ACT器件基本知识,阐述了AC
2、T器件的工作原理和沟道类型,提出了制备ACT器件的材料要求。压电性和电子迁移率是选取材料的两个重要因素,对于器件的功耗和电荷输运效率起着决定性的作用。GaN作为第三代半导体的代表,有着重要的应用价值。本文介绍了该材料的晶体结构、材料特点、应用领域及工艺水平。论文从两个角度对GaN材料进行了探讨。从声表面波角度说明了GaN材料在ACT器件中的延时性能和压电性能;从电子器件角度考查特定异质结结构下输运通道的电子气密度、结构能带图和迁移率的影响因素。这些对ACT器件材料的选取为后继工作者提供了一定的参考数据。THE
3、SIS:StudyofACTwithGaNmaterialSPECIALIZATION:AcousticsPOSTGRADUATE:Ⅳ匝NTOR:JianfengWuProfessorHaodongWuAbstractAsanovelsignalprocessingdevices,Acousticchargetransport(ACTforshort)devicesmakeupfortheshortageofthecharge—coupleddevicesandsurfaceacousticwavedevic
4、es,achieveastrongfunctionofhigh—frequency,low-power,high—speedprogrammableanalogsignalprocessing,andarewidelyusedinmilitarydefenseandcommercialsystems.SamplingtheinputsignalwithSAWasaclocksignal,makestheACTdeviceprogrammableandoutstandingindigitalprocessing
5、,especiallyforrepeatedcomplexpipelinedsignalprocessing,suchasconvolutionandcorrelmion,whicharedifficulttodoefficientlyonadigitalcomputer.ThispaperdetailsthebasicsofACTdevices,anddescribestheworkingprinciple,channeltypeandmaterialrequirementsforACTdevices.Pi
6、ezoelectricityandelectronicmobilityisthetwoimportantfactorsformaterialselection,asthedevice’Spowerconsumptionandefficiencyofchargetransportplaydecisiveroles.Asarepresentativeofthethirdgenerationsemiconductor,GaNhasimportantapplicationvalue.Thecrystalstructu
7、re,characteristics,applicationsandtechnologylevelofthematerialaredescribedinthispaper.TheGaNmaterialforACTisdiscussedfromtwoperspectives.TimedelaysforACTandpiezoelectricpropertiesarepresentedasstudyingGaNSAW.Forelectronicdevices,wegettheelectrongasdensity,t
8、heenergybanddiagramandthemobilityoffactorsunderacerternheterojunctionstructuretransportchannel.TheselectionoftheACTmaterialwillbehelpfulforfutureworkersinthisfield.II目录第l章绪论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯11.1CC
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