先导光刻中光学邻近效应修正

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1、加显工微、、测量测量、与微细加工技术设备与设备ProcessingMicroscope，，MeasuremenMeasurementtandEquipment，Microfabrication&Equipment先导光刻中的光学邻近效应修正韦亚一，粟雅娟，刘艳松（中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室，北京１０００２９）摘要：按照逻辑器件发展的节点顺序，依次论述了各种光学邻近效应修正技术：基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、曝光辅助图形、光源和掩模版的优化、反演光刻技术以及两次曝

2、光技术等。概括了各种技术出现的逻辑技术节点、数据处理流程、修正的表现形式和效果、优势和发展前景等。最后就先导光刻工艺的研发模式（先建立光学和光刻胶模型，再进行“计算光刻”），论证了光刻工艺的研发必须和光学邻近效应修正的数据流程实现互动的观点，即任何光刻工艺参数的变动都会影响到“计算光刻”模型的准确性，需要重新进行修正，以避免原计算可能导致的失败。因此，光学邻近效应修正是先导光刻工艺研发的核心。关键词：光学邻近效应修正（ＯＰＣ）；辅助图形；计算光刻；光源和掩模版的优化（ＳＭＯ）；像素式光照；两次曝光技术中图分类号：

3、ＴＮ３０５．７文献标识码：Ａ文章编号：１６７１－４７７６（２０１４）０３－０１８６－０８ＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｘｉｍｉｔｙＣｏｒｒｅｃｔｉｏｎｉｎｔｈｅＡｄｖａｎｃｅｄＰｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙＷｅｉＹａｙｉ，ＳｕＹａｊｕａｎ，ＬｉｕＹａｎｓｏｎｇ（ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＤｅｖｉｃｅｓａｎｄＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００２９，Ｃｈｉ

4、ｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｃｃｏｒｄｉｎｇｔｏｔｈｅｎｏｄｅｓｅｑｕｅｎｃｅｏｆｔｈｅｌｏｇｉｃｄｅｖｉｃｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ，ｔｈｅｖａｒｉｏｕｓｏｐｔｉｃａｌｐｒｏｘｉｍｉｔｙｅｆｆｅｃｔｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ（ＯＰＣ）ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓａｒｅｄｉｓｃｕｓｓｅｄｉｎｔｕｒｎ：ｔｈｅｒｕｌｅ－ｂａｓｅｄＯＰＣ，ｍｏｄｅｌ－ｂａｓｅｄＯＰＣ，ｅｘｐｏｓｕｒｅａｕｘｉｌｉａｒｙｇｒａｐｈ，ｓｏｕｒｃｅ－ｍａｓｋｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ（ＳＭＯ），ｉｎｖｅｒｓｅｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｎｄｄｏ

5、ｕｂｌｅｅｘｐｏｓｕｒｅｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｎｄｓｏｏｎ．Ｔｈｅｌｏｇｉｃｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｎｏｄｅ，ｄａｔａｐｒｏｃｅｓ－ｓｉｎｇｐｒｏｃｅｄｕｒｅ，ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎｆｏｒｍａｎｄｅｆｆｅｃｔ，ａｓｗｅｌｌａｓａｄｖａｎｔａｇｅｓａｎｄｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｐｒｏｓｐｅｃｔｓｆｏｒｔｈｅｖａｒｉｏｕｓＯＰＣｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓａｒｅｓｕｍｍａｒｉｚｅｄ．Ｆｉｎａｌｌｙ，ａｃｃｏｒｄｉｎｇｔｏｔｈｅｒｅｓｅａｒｃｈａｎｄｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｍｏｄｅｏｆｔｈｅａｄｖａｎｃｅｄｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈ

6、ｙ（ｏｐｔｉｃｓａｎｄｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｍｏｄｅｌｉｓｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄｆｉｒｓｔｌｙ，ｔｈｅｎ"ｃｏｍｐｕｔａｔｉｏｎａｌｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ"ｉｓｃａｒｒｉｅｄｏｕｔ），ｔｈｅｖｉｅｗｐｏｉｎｔｉｓｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｅｄｔｈａｔｔｈｅｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｐｒｏｃｅｓｓｒｅｓｅａｒｃｈａｎｄｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｍｕｓｔｉｎｔｅｒａｃｔｗｉｔｈｔｈｅｄａｔａｆｌｏｗｏｆｔｈｅＯＰＣ，ｉ．ｅ．ａｎｙｃｈａｎｇｅｓｏｆｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｐｒｏｃｅｓｓｐａｒａｍｅｔｅｒｓｗｉｌｌａｆｆｅｃ

7、ｔｔｈｅａｃｃｕｒａｃｙｏｆｔｈｅ"ｃｏｍｐｕｔａｔｉｏｎａｌｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ"ｍｏｄｅｌ，ａｎｄｔｈｅｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎａｇａｉｎｗｉｌｌｂｅｎｅｅｄｅｄｔｏａｖｏｉｄｔｈｅｆａｉｌｕｒｅｃａｕｓｅｄｂｙｔｈｅｏｒｉｇｉｎａｌｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎ．Ｔｈｅｒｅｆｏｒｅ，ｔｈｅＯＰＣｉｓｔｈｅｃｏｒｅｏｆｔｈｅｒｅｓｅａｒｃｈａｎｄｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｆｏｒｔｈｅａｄｖａｎｃｅｄｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｐｔｉｃａｌｐｒｏｘｉｍｉｔｙｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ（ＯＰＣ）；ａｕｘｉｌｉ

8、ａｒｙｇｒａｐｈ；ｃｏｍｐｕｔａｔｉｏｎａｌｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ；ｓｏｕｒｃｅ－ｍａｓｋｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ（ＳＭＯ）；ｐｉｘｅｌａｔｅｄｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ；ｄｏｕｂｌｅｅｘｐｏｓｕｒｅｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙＤＯＩ：１０．１３２５０／ｊ．ｃｎｋｉ．ｗｎｄｚ．２０１４．０３．００９ＥＥＡＣＣ：２５５０Ｇ收稿日期：２０１３－１１－１２基金项目：国家中长期科技发展规划