电子束光刻邻近效应校正技术的研究

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1、I、吣删,t8758550nAThesisSubmittedfortheDegreeofEngneeringMasterCandidate：ZhaoZhenyuSupervisor：AssociateProf．SongHuiyingCollegeofComputer&CommunicationEngineeringChinaUniversityofPetroleum(EastChina)关于学位论文的独创性声明本人郑重声明：所呈交的论文是本人在指导教师指导下独立进行研究工作所取得的成果，论文中有关资料和数据是实事求是的。

2、尽我所知，除文中已经加以标注和致谢外，本论文不包含其他人已经发表或撰写的研究成果，也不包含本人或他人为获得中国石油大学(华东)或其它教育机构的学位或学历证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对研究所做的任何贡献均已在论文中作出了明确的说明。．若有不实之处，本人愿意承担相关法律责任。，十一学位论文作者签名：丝曼兰：日期：≯，，年y月弘R学位论文使用授权书本人完全同意中国石油大学(华东)有权使用本学位论文(包括但不限于其印刷版和电子版)，使用方式包括但不限于：保留学位论文，按规定向国家有关部门(机构)送交学位论文，以学术交流

3、为目的赠送和交换学位论文，允许学位论文被查阅、借阅和复印，将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，采用影印、缩印或其他复制手段保存学位论文。保密学位论文在解密后的使用授权同上。学位论文作者签名：起童至指导教师签名：磁盘日期：2。，f年岁月；口R同期：>训f年j月；oR摘要微细加工技术是制备超大规模集成电路的关键技术，随着集成电路特征尺寸的不断减小和三维微结构制造要求的不断提高，对分辨率的要求越来越高，这就对图形加工技术提出了更高的要求。电子束光刻技术是目前最好的图形制作技术之一，但电子散射引起的邻近效应降低了微

4、细加工图形的精度，因此，为了获得精确的图形，必须进行邻近效应校J下。本学位论文对电子束光刻技术在二维抗蚀剂图形制作和三维微结构加工中的邻近效应校『F问题进行了较全面的分析研究。论文的主要工作集中于二维电子束光刻的邻近效应校J下技术研究及其算法实现，三维电子束光刻仿真技术研究，分析了三维电子束光刻仿真模型的性能，主要工作概括如下：1．二维电子束光刻的邻近效应校正技术研究在二维电子束光刻技术中，依据电子束光刻邻近效应的产生机理，探讨有效提高校『F速度的邻近效应校正方法，对图形内部、相邻图形和复杂图形之间产生的邻近效应分别进行

5、讨论，有针对性地采用适合的方法实现邻近效应校正，获得符合设计图形要求的校『F图形，提高了校正速度。2．重点研究了T型和L型复杂图形的相互邻近效应校正方法，设计并实现了复杂图形的校J下软件，获得了符合设计图形要求的校J下图形。3．研究了提高校正速度的方法，利用对局部曝光窗口中的图形能量沉积求累加和的方法代替目前直接卷积的方法，在校正精度不变的情况下，有效提高了校J下速度。4．三维电子束光刻仿真模型的研究与优化分析研究了电子在三维抗蚀剂中的散射过程，利用MonteCarlo模拟软件获得了电子束在抗蚀剂中的三维能量沉积分布，研

6、究了电子束光刻的三维分层模型，并对三维模型进行了性能分析。应用分层计算方法和重复增量扫描策略，对三维微结构进行了仿真。关键词：电子束光刻，邻近效应校正，能量沉积分布，分层模拟nogyforVLSI．WiththecontinuousreductionoftheIntegrateCircuitcriticaldimension，anddevelopmentoffabricatingthree—dimensionalmicrostructures，itleadstoincreasingdemandforhigherresol

7、ution．Electronbeamlithography(EBL)hasconsolidatedasoneofthemostcommontechniquesformicrofabrication，whileelectronscatteringcausedinsufficientgraphicprecision．Hence，theproximityeffectcorrectioniskeyelementsinEBLlithography．Thisthesistakesanoveralllookatproximityeff

8、ectissuein2-Dlithographyand3-Dmicrostructuresfabrication．Basedonmathematicalanalysisandresearch，a2-Dproximityeffectcorrectionalgorithmisproposedandimplemented，