ic quality & reliability test(ic 的可靠性测试)

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时间:2019-05-07

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1、IC Quality & Reliability Test(转)质量(Quality)和可靠性(Reliability)在一定程度上可以说是IC产品的生命,好的品质,长久的耐力往往就是一颗优秀IC产品的竞争力所在。在做产品验证时我们往往会遇到三个问题,验证什么,如何去验证,哪里去验证,这就是what, how , where 的问题了。   解决了这三个问题,质量和可靠性就有了保证,制造商才可以大量地将产品推向市场,客户才可以放心地使用产品。本文将目前较为流行的测试方法加以简单归类和阐述,力求达到抛砖引玉的作用。     

2、  Quality 就是产品性能的测量,它回答了一个产品是否合乎SPEC的要求,是否符合各项性能指标的问题;Reliability则是对产品耐久力的测量,它回答了一个产品生命周期有多长,简单说,它能用多久的问题。所以说Quality解决的是现阶段的问题,Reliability解决的是一段时间以后的问题。   知道了两者的区别,我们发现,Quality的问题解决方法往往比较直接,设计和制造单位在产品生产出来后,通过简单的测试,就可以知道产品的性能是否达到SPEC 的要求,这种测试在IC的设计和制造单位就可以进行。相对而言,R

3、eliability的问题似乎就变的十分棘手,这个产品能用多久,who knows? 谁会能保证今天产品能用,明天就一定能用?为了解决这个问题,人们制定了各种各样的标准,如       MIT-STD-883E Method 1005.8      JESD22-A108-A      EIAJED- 4701-D101等等,这些标准林林总总,方方面面,都是建立在长久以来IC设计,制造和使用的经验的基础上,规定了IC测试的条件,如温度,湿度,电压,偏压,测试方法等,获得标准的测试结果。这些标准的制定使得IC测试变得不再盲目

4、,变得有章可循,有法可依,从而很好的解决的what,how的问题。而Where的问题,由于Reliability的测试需要专业的设备,专业的器材和较长的时间,这就需要专业的测试单位。这种单位提供专业的测试机台,并且根据国际标准进行测试,提供给客户完备的测试报告,并且力求准确的回答Reliability的问题    在简单的介绍一些目前较为流行的Reliability的测试方法之前,我们先来认识一下IC产品的生命周期。典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线(Bathtub Curve)来表示,如图所示          

5、  Region (I) 被称为早夭期(Infancy period)          这个阶段产品的 failure rate 快速下降,造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺陷;Region (II) 被称为使用期(Useful life period)          在这个阶段产品的failure rate保持稳定,失效的原因往往是随机的,比如EOS,温度变化等等;Region (III) 被称为磨耗期(Wear-Out period)           在这个阶段failure rate 会快速升高,失

6、效的原因就是产品的长期使用所造成的老化等。   认识了典型IC产品的生命周期,我们就可以看到,Reliability的问题就是要力图将处于早夭期failure的产品去除并估算其良率,预计产品的使用期,并且找到failure的原因,尤其是在IC生产,封装,存储等方面出现的问题所造成的失效原因。         下面就是一些 IC Product Level reliability test items>Robustness test items                 ESD, Latch-up      对于Rob

7、ustness test items 听到的ESD,Latch-up 问题,有很多的精彩的说明,这里就不再锦上添花了。下面详细介绍其他的测试方法。>Life test items           EFR, OLT (HTOL), LTOL          EFR:   Early fail Rate Test           Purpose:  评估工艺的稳定性,加速缺陷失效率,去除由于天生原因失效的产品。    Test condition:  在特定时间内动态提升温度和电压对产品进行测试    Failure

8、 Mechanisms:材料或工艺的缺陷包括诸如氧化层缺陷,金属刻镀,                                      离子玷污等由于生产造成的失效    Reference:具体的测试条件和估算结果可参考以下标准                             MIT

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