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1、纯铌酸锂晶体红外光谱的低温研究3师丽红12 阎文博31(弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部实验室,南开大学,天津 3004572(天津城市建设学院物理系,天津 3003843(河北工业大学材料科学与工程学院,天津 300130(2009年1月20日收到;2009年3月7日收到修改稿 测量了同成分纯铌酸锂的低温红外光谱,发现低温下铌酸锂晶体将会出现位于3200cm-1左右的新红外吸收峰.研究发现该峰与晶体中的氢离子无关,并且其峰强和峰形都随温度的升高发生复杂的变化.基于上述实验结果,认为该峰应该起源于电子在相邻的小极化子(Nb4+Li和自由极化子(Nb4+Nb之间的跃迁
2、.另外,通过拟合发现新红外吸收峰可分解成三个高斯峰,这三峰应归因于能量有细微差别的三种跃迁.关键词:铌酸锂,红外吸收光谱,杂质缺陷PACC:7830G3天津市高等学校科技发展基金(批准号:20070502,河北省教育厅科研计划(批准号:2008113,天津自然科学基金(批准号:09JCYBJC02400和河北自然科学基金(批准号:F2009000108资助的课题.E-mail:yanwenbo@hebut.edu.cn11引言、、光折变及,其自身机械性能稳定,且易加工、耐高温、抗腐蚀、原材料来源丰富、价格低廉、易生长成大晶体,在表面波滤波器、电光调制、电光开关、光波导及其激光
3、器、倍频、高密度信息存储等方面有着广泛的应用前景.目前,铌酸锂晶体性能的合理调控始终是国际上光电材料领域的研究热点.然而,铌酸锂晶体的性能与其微观缺陷结构密切相关,调控其性能必须首先清楚地掌握其微观缺陷结构[1].铌酸锂晶体的红外光谱可用于研究晶体缺陷结构.Smith等人在1968年发现铌酸锂晶体红外光谱中位于3500cm-1附近的氢氧根振动吸收谱[2].之后,人们发现该特征谱对于晶格环境极其敏感.由于铌酸锂晶体中的氢离子经常出现在缺陷结构的附近进行相应的电荷补偿从而容易与本征缺陷或杂质缺陷形成缺陷集团.因此,铌酸锂晶体红外光谱中的氢氧根吸收谱可成为研究缺陷结构的探针[3].
4、除了氢氧根吸收谱,铌酸锂红外光谱中还包含着许多与缺陷结构相关的重要信息.在红外光谱的1500—2500cm-1范围内可观测到样品的红外吸收.,这几个波峰由,起源于铌酸锂晶体中红外光学声子,因此,其可反映晶体的微观缺陷结构.此外,在近红外光谱6000—14000cm-1的范围内,经常会出现半高宽达到几百波数的宽波峰,这些谱峰是起源于铌酸锂晶体中的各类极化子[4].比如12800cm-1谱峰由电子在小极化子Nb4+Li间的跃迁引起.尽管目前关于铌酸锂红外光谱方面的报道已经相当多了,但前人所获得的数据大都来自室温以及高温下的红外光谱,而低温下铌酸锂的红外光谱研究目前还比较少.本文将
5、重点研究名义纯同成分铌酸锂晶体的低温红外光谱.在本文中将会看到,低温下铌酸锂晶体将会出现位于3200cm-1左右的新的红外吸收峰.21实验过程本实验所用的光谱仪是由北京第二光学仪器厂生产的WQF2410傅里叶变换红外光谱仪.其测量波数范围为400—4400cm-1,分辨率015cm-1,波数精度011cm-1,扫描速度012—215cm-1.低温控温仪为VAC2K1型,控温精度1K.采用C50W型闭循环低温装置制冷,温度范围10—300K.实验所用样品为名义纯同成分铌酸锂晶片.该第58卷第7期2009年7月100023290Π2009Π58(07Π4987205物 理 学 报
6、ACTAPHYSICASINICAVol.58,No.7,July,2009ν2009Chin.Phys.Soc.晶体采用CZ提拉法从同成分([Li]Π[Nb]=48145Π51155熔体中生长,由南开大学光电材料研发中心提供.我们垂直于c轴方向将晶体切片,厚度为110mm,并将样品表面抛光至光学级,在傅里叶红外光谱仪上进行测量,通光方向为c轴.测量装置中保温外罩的窗片材料为KBr.首先测量本底光谱,以做背景.环境中的水蒸气及其他因素造成的吸收可由本底光谱尽可能消除.然后进行低温光谱测量.打开真空泵抽真空,同时打开闭循环低温装置及控温仪,以4KΠmin的平均速率调控降温,直至
7、温度达到20K.之后,缓慢升温至不同温度,测量样片的红外透射光谱.在这个过程中,为了使得到的数据更加可靠,每次升温至待测温度时,需稳定4min才开始测量.我们分别测量了该样品在20至290K的温度下的红外透射光谱,温度间隔为10K.去除晶片两面反射并考虑其厚度,可通过红外透射光谱得到吸收光谱.图1 常温(290K以及低温(120K下纯铌酸锂的典型红外透射谱(插图为氧化处理后纯铌酸锂红外透射谱31结果与讨论图1给出了常温(290K以及低温(120K下纯铌酸锂的典型红外透射谱.我们可以明显地看到两条红外谱线
