光电检测技术课程作业和答案(打印版)

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1、word文档整理分享思考题及其答案习题01一、填空题1、通常把对应于真空中波长在（0.38m）到（0.78m）范围内的电磁辐射称为光辐射。2、在光学中，用来定量地描述辐射能强度的量有两类，一类是（辐射度学量），另一类是(光度学量)。3、光具有波粒二象性，既是（电磁波），又是（光子流）。光的传播过程中主要表现为（波动性），但当光与物质之间发生能量交换时就突出地显示出光的（粒子性）。二、概念题1、视见函数：国际照明委员会（CIE）根据对许多人的大量观察结果，用平均值的方法，确定了人眼对各种波长的光的平均相对灵敏度，称为“标准光度观察者”的光谱光视效率V(λ),或称视见

2、函数。2、辐射通量：辐射通量又称辐射功率，是辐射能的时间变化率，单位为瓦(1W=1J/s)，是单位时间内发射、传播或接收的辐射能。3、辐射亮度：由辐射表面定向发射的的辐射强度，除于该面元在垂直于该方向的平面上的正投影面积。单位为(瓦每球面度平方米)。4、辐射强度：辐射强度定义为从一个点光源发出的，在单位时间内、给定方向上单位立体角内所辐射出的能量，单位为W／sr(瓦每球面度)。三、简答题辐射照度和辐射出射度的区别是什么？答：辐射照度和辐射出射度的单位相同，其区别仅在于前者是描述辐射接参考资料word文档整理分享收面所接收的辐射特性，而后者则为描述扩展辐射源向外发射的辐

3、射特性。四、计算及证明题证明点光源照度的距离平方反比定律，两个相距10倍的相同探测器上的照度相差多少倍？答：设点光源的辐射强度为I在理想情况下，点光源的总辐射通量为＝4Id又半径为R的球面上的辐射照度为E＝2dA4Rd4IIE22dA4RR设第一个探测器到点光源的距离为L，1第二个探测器到点光源的距离为L2L10L12I又E2RIIIIEE122222L10L100LL1222E100E21习题02一、填空题1、物体按导电能力分（绝缘体）（半导体）（导体）。2、价电子的运动状态发生变化,使它跃迁到新的能级上的条件

4、是（具有能向电子提供能量的外力作用）、（电子跃入的那个能级必须是空的）。3、热平衡时半导体中自由载流子浓度与两个参数有关：一是在能带中（能态的分布），二是这些能态中（每一个能态可能被电子占据的概率）。4、半导体对光的吸收有（本征吸收）（杂质吸收）（自由载流子吸收）（激子吸收）（晶格吸收）。半导体对光的吸收主要是（本征吸收）。二、概念题1、禁带、导带、价带：参考资料word文档整理分享禁带：晶体中允许被电子占据的能带称为允许带，允许带之间的范围是不允许电子占据的，此范围称为禁带。导带：价带以上能量最低的允许带称为导带。价带：原子中最外层的电子称为价电子，与价电子能级相对

5、应的能带称为价带。2、热平衡状态：在一定温度下，激发和复合两种过程形成平衡，称为热平衡状态，此时载流子浓度即为某一稳定值。3、强光注入、弱光注入：强光注入：满足nnpn>>nn0pn0＝ni×ninn0<Δnn＝Δpn条件的注入称为强光注入。弱光注入:满足nnpn>nn0pn0＝ni×ninn0>Δnn＝Δpn条件的注入称为弱光注入。4、非平衡载流子寿命τ：非平衡载流子从产生到复合之前的平均存在时间。三、简答题1、掺杂对半导体导电性能的影响是什么？答：半导体中不同的掺杂或缺陷都能在禁带中产生附加的能级，价带中的电子若先跃迁到这些能级上然后再跃迁到导带中去，要比电子直接

6、从价带跃迁到导带容易得多。因此虽然只有少量杂质，却会明显地改变导带中的电子和价带中的空穴数目，从而显著地影响半导体的电导率。2、为什么空穴的迁移率比电子的迁移率小？答：迁移率与载流子的有效质量和平均自由时间有关。由于空穴的有效质量比电子的有效质量大，所以空穴的迁移率比电子的迁移率小。3、产生本征吸收的条件是什么？答：入射光子的能量（hν）至少要等于参考资料word文档整理分享ch1.24材料的禁带宽度。即m0EEgg四、计算题1、本征半导体材料Ge在297K下其禁带宽度Eg=0.67(eV)，现将其掺入杂质Hg，锗掺入汞后其成为电离能Ei=0.09(eV

7、)的非本征半导体。试计算本征半导体Ge和非本征半导体锗汞所制成的光电导探测器的截止波长。1.241.24mm1.851m01E0.67g解：1.241.24mm13.778m02E0.09i2、某种光电材料的逸出功为1Ev，试计算该材料的红限波长。（普朗克常数-348-19h＝6.626×10(J.s)，光速C＝2.998×10(m/s)，电子电量e＝1.6×10库仑）cch1.241.24解：mm1.24m01000习题03一、概念题1、光电效应：当光照射到物体