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时间:2018-08-06
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1、光电检测技术第1页共12页思考题及其答案习题01一、填空题1、通常把对应于真空中波长在(0.38m)到(0.78m)范围内的电磁辐射称为光辐射。2、在光学中,用来定量地描述辐射能强度的量有两类,一类是(辐射度学量),另一类是(光度学量)。3、光具有波粒二象性,既是(电磁波),又是(光子流)。光的传播过程中主要表现为(波动性),但当光与物质之间发生能量交换时就突出地显示出光的(粒子性)。二、概念题1、视见函数:国际照明委员会(CIE)根据对许多人的大量观察结果,用平均值的方法,确定了人眼对各种波长
2、的光的平均相对灵敏度,称为“标准光度观察者”的光谱光视效率V(λ),或称视见函数。2、辐射通量:辐射通量又称辐射功率,是辐射能的时间变化率,单位为瓦(1W=1J/s),是单位时间内发射、传播或接收的辐射能。3、辐射亮度:由辐射表面定向发射的的辐射强度,除于该面元在垂直于该方向的平面上的正投影面积。单位为(瓦每球面度平方米)。4、辐射强度:辐射强度定义为从一个点光源发出的,在单位时间内、给定方向上单位立体角内所辐射出的能量,单位为W/sr(瓦每球面度)。三、简答题辐射照度和辐射出射度的区别是什么?答:
3、辐射照度和辐射出射度的单位相同,其区别仅在于前者是描述辐射接收面所接收的辐射特性,而后者则为描述扩展辐射源向外发射的辐射特性。四、计算及证明题证明点光源照度的距离平方反比定律,两个相距10倍的相同探测器上的照度相差多少倍?答:设点光源的辐射强度为I在理想情况下,点光源的总辐射通量为=4Id又半径为R的球面上的辐射照度为E=2dA4Rd4IIE22dA4RR设第一个探测器到点光源的距离为L,1第二个探测器到点光源的距离为L2L10L12I又E2RIIIIE
4、E122222L10L100LL1222E100E21习题02一、填空题1、物体按导电能力分(绝缘体)(半导体)(导体)。2、价电子的运动状态发生变化,使它跃迁到新的能级上的条件是(具有能向电子提供能量的外力作用)、(电子跃入的那个能级必须是空的)。3、热平衡时半导体中自由载流子浓度与两个参数有关:一是在能带中(能态的分布),二是这些能态中(每一个能态可能被电子占据的概率)。-光电检测技术第2页共12页4、半导体对光的吸收有(本征吸收)(杂质吸收)(自由载流子吸收)(激子吸收)(晶格吸收)
5、。半导体对光的吸收主要是(本征吸收)。二、概念题1、禁带、导带、价带:禁带:晶体中允许被电子占据的能带称为允许带,允许带之间的范围是不允许电子占据的,此范围称为禁带。导带:价带以上能量最低的允许带称为导带。价带:原子中最外层的电子称为价电子,与价电子能级相对应的能带称为价带。2、热平衡状态:在一定温度下,激发和复合两种过程形成平衡,称为热平衡状态,此时载流子浓度即为某一稳定值。3、强光注入、弱光注入:强光注入:满足nnpn>>nn0pn0=ni×ninn0<Δnn=Δpn条件的注入称为强光注入。弱光
6、注入:满足nnpn>nn0pn0=ni×ninn0>Δnn=Δpn条件的注入称为弱光注入。4、非平衡载流子寿命τ:非平衡载流子从产生到复合之前的平均存在时间。三、简答题1、掺杂对半导体导电性能的影响是什么?答:半导体中不同的掺杂或缺陷都能在禁带中产生附加的能级,价带中的电子若先跃迁到这些能级上然后再跃迁到导带中去,要比电子直接从价带跃迁到导带容易得多。因此虽然只有少量杂质,却会明显地改变导带中的电子和价带中的空穴数目,从而显著地影响半导体的电导率。2、为什么空穴的迁移率比电子的迁移率小?答:迁移率与
7、载流子的有效质量和平均自由时间有关。由于空穴的有效质量比电子的有效质量大,所以空穴的迁移率比电子的迁移率小。3、产生本征吸收的条件是什么?答:入射光子的能量(hν)至少要等于材料的禁带宽度。即ch1.24m0EEgg四、计算题1、本征半导体材料Ge在297K下其禁带宽度Eg=0.67(eV),现将其掺入杂质Hg,锗掺入汞后其成为电离能Ei=0.09(eV)的非本征半导体。试计算本征半导体Ge和非本征半导体锗汞所制成的光电导探测器的截止波长。1.241.24mm1.8
8、51m01E0.67g解:1.241.24mm13.778m02E0.09i2、某种光电材料的逸出功为1Ev,试计算该材料的红限波长。(普朗克常数h=6.626×10-34(J.s),光速C=2.998×108(m/s),电子电量e=1.6×10-19库仑)cch1.241.24解:mm1.24m01000习题03一、概念题1、光电效应:当光照射到物体上使物体发射电子、或导电率发生变化,或产生光电动势
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