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时间:2019-03-21
《宽带隙异质结二极管恢复特性的数值模拟及测试》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、I‘I.’,?—V-—'-.、■W:/.-.-V?:分类号:TP39UDC:38110%2188密级:公开学号:12't'處抑乂#n【;式:奉"我V:^‘^、、、.‘,,’令:‘V學.、/硕±学位论文宽带隙异质结二极管恢复持性的数值模拟及测试作者姓名;赵少方学科、专业;计义机应用技术研究方向;计算机检测与控制技术指导教师:韦文生教授2016完成日期:年5月^.■■i‘?■一'.I-?.?1■'-.??-?
2、I溫州大学学位委员会分类号:TP39UDC:38学号:12110862188密级:公开處抑乂緣【硕±学位论义宽带隙异质结二极管恢复特性的数值模拟及测试作者姓名:為化学科、专业:计其机应用技术研究方向:计其测与控制技术—指导教师;啼心么完成日期:刖6年5月温州大学学位委员会温州大学学位论文独创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的硏究工作及取得的硏究成栗。尽我所知,除了文中特别加从标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的硏究成果也
3、不包含为获得温州大学或真巧教育一工作志对本硏究所做的任何贡的机构的学位或证书而使用过的材料。与我同同示了谢意。均已在轮文明确的说明并表中作了献::朵文作者签曰期年曰名知抢知心告温用巧权声明州大学学位论文使:关于收集、保存、使用学位论文的规定即学校有,本人完全了解温州大学论文的复阔印件和电子版,允许论文被查和权保留并国家有关部口或机构送交向有关数据店进借内容编入链。本人授权温州大学可从陪本学位轮文的全部或部分索可攻采用影制手段保存和汇編印、缩印或巧描等复本学位论文。本人在行检,归属温州大学导,知识产权。师指导下完成的论
4、文成果保密论文在解密后遵守此规定。:论文作者签:(导师签名名尤心广^::期月參日期/《月曰曰在曰2〇年^S异质结二极管特性的数值模拟及反向恢复时间的测试摘要本文旨在运用计算机建模、仿真技术进行研究宽带隙二极管的正向恢复特性特性、正向I-V特性,以及运用计算机技术设计一款适用、精确度高、智能化的二极管反向恢复时间测试系统。具体安排如下:首先运用Matlab模拟仿真了GaN/SiC异质结的正向恢复过程。分析了异质结的外因(外加电流变化率、温度等)及内因(N区掺杂浓度、电子迁移率等)对异质结正向恢复峰值电压和正向恢复时间的影响,对比了GaN/6H-S
5、iC、GaN/4H-SiC、GaN/3C-SiC三种异质结的正向恢复过程。结果表明,前述内、外因素对GaN/SiC异质结的正向恢复特性有明显影响,可通过调节各参数以优化GaN/SiC异质结的正向恢复过程。然后利用Matlab模拟仿真了GaN/SiC异质结的正向I-V特性。分析了温度对正向C-V特性的影响,同时分析了温度、P区掺杂浓度和P区载流子电子的寿命对异质结正向I-V特性的影响。模拟结果表明,当外加正向电压较大(约2V)时,正向电流主要取决于由N区向P区注入的电子电流,同时温度等因素对GaN/SiC异质结的正向I-V特性有较大的影响,可通过调节各参数以优
6、化GaN/SiC异质结的正向I-V特性。最后介绍了二极管的反向恢复时间trr测试系统。制定了二极管的I反向恢复时间测试仪器的电路系统方案以及控制流程,参与完成二极管反向恢复时间测试系统的硬件电路。详细分析了各部分硬件电路的设计以及功能,并通过实验测试验证了测试系统的有效性(目前GaN/SiC异质结二极管实际成品并不存在,因此测试所用二极管均为其他二极管)。关键词:异质结二极管,正向恢复特性,正向I-V特性,反向恢复时间测试IINUMERICALSIMULATIONANDTESTOFRECOVERYCHARACTERISTICSOFHETEROJUNCTION
7、DIODEABSTRACTThispaperaimsattheapplicationofcomputermodellingandsimulationtechnologyofwidebandgapdiodeforwardrecoverycharacteristics、forwardI-Vcharacteristics,andtheuseofcomputertechnologytodesignadiodereverserecoverytimetestsystemwithhighprecision,highaccuracyandhighprecision.Spec
8、ificarrangementsareasfollo
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