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《政策扶持我国发展半导体产业迎发展良机-中国半导体分立器件分会》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、췍췍췍췍췍췍췍췍췍企业指南췍췍췍췍췍췍췍췍췍政策扶持我国发展半导体产业迎发展良机没有支撑产业的发展就不可能建立我国自主的半导体产业,只有半导体支撑产业形成完善的配套体系,才能推动半导体行业高速发展。我国在“十一五”规划中特别提到,要发展我国自己的半导体产业。我国半导体行业国家“十一五”发展目标包括:集成电路产业年均增长率在30%以上,到2010年将实现3000亿元的销售额,约占当时世界集成电路市场份额的8%。制造业的生产技术达到12英寸、90纳米-65纳米水平。倾力打造集成电路产业半导体集成电路产业的发展对国民经济有着巨大的推动作用。随着半导体集成
2、电路产业的高速发展,传统产业的发展也发生了翻天覆地的变化。半导体集成电路产业的迅猛发展,一方面改变了社会的生活方式和管理模式,另一方面创造了新的经济增长点。半导体产业是当今世界最有活力和发展前景的领域,集成电路制造则是半导体技术的核心内容。集成电路技术的发展及其在众多领域中的应用,极大地推动了科学技术的进步和社会经济的发展。集成电路产业规模的大小和技术水平的高低,可以反映出一个国家的国防实力和经济、技术发展水平,为此各国不遗余力地促进集成电路产业的发展。我国也出台了各种优惠政策,集中优势力量打造集成电路产业,希望应用以半导体技术为基础的电子信息技术
3、改造现有的传统产业,促使国民经济跨越式发展。在国家的支持下,我国的半导体产业取得了很大发展。在“十五”期间,我国半导体产业IC设计、制造和封测同步快速发展,其中IC设计业的比重不断增加,它在半导体产业的整体销售额中所占份额已经由2001年的8%提高到2006年的18.5%。与此同时,我国集成电路企业的规模逐步扩大,2006年首次出现销售收入过100亿元的集成电路制造企业。目前,我国集成电路的技术水平获得了显著提高,有量产的12英寸生产线2条、8英寸生产线10条,已经达到最高90纳米、主流技术0.18微米的技术水平。“十一五”期间,我国半导体产业发展
4、将呈现以下态势:第一,产业与市场规模仍将快速扩大。第二,产品与技术创新将成为企业发展的新动力。第三,半导体设备与材料业将成为行业发展的新亮点。第四,整机与IC产业的互动将有新发展。第五,国家集成电路产业政策即将出台。1自给程度低是瓶颈半导体集成电路产业是巨大的产业集群,需要多方面的支撑,包括材料、设计、制造。目前,我国的半导体产业基础还比较薄弱,促进半导体产业的发展还需要从促进半导体支撑产业的发展、完善配套市场入手。“十五”期间我国半导体支撑产业有了很大发展,但就现状而言,仍然远不能满足国内半导体产业的需求。从总体来看,我国半导体支撑产业自给程度不
5、足10%,依然是我国半导体产业发展的巨大瓶颈。材料、设备、仪器产业是发展半导体产业的基础,如果没有支撑产业的发展就不可能建立我国自主的半导体产业,只有半导体支撑产业形成完善的配套体系,才能推动半导体行业高速发展。我国半导体支撑产业的发展相对落后。资料显示,我国半导体支撑产业多年来保持了高速增长的态势,但绝大部分增长得益于海外公司转移生产到中国,跨国公司控制着核心技术、关键元器件、关键设备、品牌和销售渠道。建立强大的半导体支撑产业,是我国集成电路产业持续健康发展的基础。发展本土半导体支撑产业不但能摆脱国外的限制,也对降低我国集成电路的制造成本大有好处
6、。在集成电路制造中,设备占固定成本的60%,原材料占流动成本的60%,本土化可以大幅度降低集成电路的制造成本,提升产业整体竞争能力。当前,我国半导体支撑设备仪器与国际水平尚有较大差距,8英寸以上生产线全部依赖进口。近年来,在国家大力支持下,“十五”期间我国在100纳米刻蚀机和离子注入机研究方面取得了可喜的成果,产品已进入量产阶段。国家政策带来“利好”未来,我国集成电路材料、设备仪器行业将迎来快速发展阶段,国家对材料和设备行业都出台了支持和鼓励政策,如集成电路材料发展规划政策。国务院新批准的集成电路重大装备专项也必将为我国半导体集成电路的发展创造良好
7、的环境。北京是我国集成电路装备生产基地,为我国集成电路装备产业的发展作出了突出贡献。北京还吸引了全国各地的集成电路制造设备企业进驻,加上原有的企业,北京将具备集成电路制造的整体优势,为我国半导体产业更快更好地发展作出贡献。得益于半导体工艺技术的进步,我国半导体产业正在逐渐扭转依赖进口的局面,经过发展,我国半导体本土企业必然能挺起中国电子信息产业的脊梁,为我国高新技术产业的发展奠定坚实的基础。赵佶摘2国际半导体进入变革期挑战与机遇并存电子电路逐渐细微,芯片制造商在晶体管设计制造方面遇到的困难也越来越大。1965年“摩尔定律”与1975年“丹纳德定律”
8、所构建的“几何尺寸按比例缩小”的时代在进入10纳米后,多年来基于硅的平面器件所形成的技术路线、工艺装备和生产条件,面临重大
