单晶碳化硅超声-电化学机械抛光仿真与实验研究.pdf

单晶碳化硅超声-电化学机械抛光仿真与实验研究.pdf

ID:35169626

大小:8.09 MB

页数:79页

时间:2019-03-20

单晶碳化硅超声-电化学机械抛光仿真与实验研究.pdf_第1页
单晶碳化硅超声-电化学机械抛光仿真与实验研究.pdf_第2页
单晶碳化硅超声-电化学机械抛光仿真与实验研究.pdf_第3页
单晶碳化硅超声-电化学机械抛光仿真与实验研究.pdf_第4页
单晶碳化硅超声-电化学机械抛光仿真与实验研究.pdf_第5页
资源描述:

《单晶碳化硅超声-电化学机械抛光仿真与实验研究.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、硕士学位论文单晶碳化硅超声-电化学机械抛光仿真与实验研究SIMULATIONANDEXPERIMENTALSTUDYONULTRASONIC-ELECTRO-CHEMICALMECHANICALPOLISHINGOFMONOCRYSTALLINESILICONCARBIDE翟权哈尔滨工业大学2018年6月国内图书分类号:TH12学校代码:10213国际图书分类号:621密级:公开工学硕士学位论文单晶碳化硅超声-电化学机械抛光仿真与实验研究硕士研究生:翟权导师:翟文杰教授申请学位:工学硕士学科:机械设计及理论所在单位:机电工程学院答辩日期:2018年6月授予学位单位:哈尔滨工业大学Classif

2、iedIndex:TH12U.D.C:621DissertationfortheMasterDegreeofscienceSIMULATIONANDEXPERIMENTALSTUDYONULTRASONIC-ELECTRO-CHEMICALMECHANICALPOLISHINGOFMONOCRYSTALLINESILICONCARBIDECandidate:zhaiQuanSupervisor:Prof.ZhaiWenjieAcademicDegreeAppliedfor:MasterofEngineeringSpecialty:MechanicalDesignandTheoryAffilia

3、tion:SchoolofMechatronicsEngineeringDateofDefence:June,2018Degree-Conferring-Institution:HarbinInstituteofTechnology哈尔滨工业大学工学硕士学位论文摘要碳化硅材料具有许多优异性能,如高强度、高硬度、高密度以及良好的高温性能和耐磨性、热膨胀系数小、抗冲击好等,使得在航空、航天、通信方面有着广阔的应用前景。然而SiC材料极强的化学惰性和超高的硬度使得现行的加工方法难以实现高材料去除率的同时获得原子级的平整表面。本文致力于SiC材料的超精密加工,将电化学辅助、超声振动和半固定磨粒抛光三者

4、结合进行理论与实验研究,来提高SiC材料的表面质量与加工效率。利用COMSOLMultiphysics软件对试件与抛光盘之间的抛光液区域进行了流场建模与仿真分析,探究了不同的超声频率、振幅、抛光垫对流场的压力、流速的影响情况。仿真结果表明,流体的速度和压力都会随着超声频率或振幅的增加而增加。使用多孔抛光垫时,试件下方的流体速度变得更小、更平稳,而压力增大了近百倍,空化也变得更加强烈,更有利于化学反应自由基的生成。利用COMSOLMultiphysics软件对碳化硅试件研抛过程中的温度场、电场及质量传递过程进行了仿真分析。仿真结果表明,试件与抛光盘接触面的温度先急剧升高,然后逐渐降低,最后趋于平

5、缓,随着超声频率、振幅等的增加,试件表面的温升也随之增加。当使用抛光垫后,试件底面的电压显著升高,在抛光垫液孔处的电流密度要明显高于周围溶液。当试件与芬顿液中的羟基离子接触时,两侧边缘的腐蚀速度要明显高于底部的腐蚀速度。分别应用铸铁抛光盘、聚氨酯抛光盘、半固定磨粒抛光盘三种抛光盘在自来水、KOH溶液、芬顿反应液三种研抛液中对SiC进行了超声-电化学机械研抛试验,并利用称重法计算出材料去除率。结果表明,使用铸铁抛光盘时材料去除率高,但表面质量差,使用半固定磨粒抛光盘时表面质量最好,但材料去除率低。芬顿反应液对提高试件的材料去除率效果最好。在试件与抛光盘之间的电压为+10V时,试件的材料去除率最高

6、。超声振动对碳化硅试件研抛的影响要大于电场,可见超声振动对碳化硅试件抛光起主要作用。关键词:碳化硅;流场仿真;超声辅助;材料去除率I哈尔滨工业大学工学硕士学位论文AbstractSiliconcarbidematerialhasmanyexcellentproperties,suchashighstrength,highhardness,highdensityaswellasexcellenthightemperatureresistance,wearresistance,smallthermalexpansioncoefficient,goodimpactresistance,etc.,ma

7、kingitabroadapplicationprospectinaviation,aerospaceandcommunications.However,theextremelystrongchemicalinertnessandhighhardnessofSiCmaterialsmakeitdifficulttoachieveahighlevelofmaterialremovalrateanda

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。