沟道和漂移区正应变的ldmos器件制作方案和优化

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3、过的材料。与说一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的明并表示谢意。作者签名：论文使用授权日期年＾月Ｉ日本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可［＾采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。（保密的学位论文在解密后应遵守此规定）、作者签名：省导师签名；是括ｆ章／心曰期：２分《年＾月／曰分类号密级注1UDC学位论文沟道和漂移区正应变

4、的LDMOS器件制作方案和优化（题名和副题名）张易（作者姓名）指导教师王向展副教授电子科技大学成都（姓名、职称、单位名称）申请学位级别硕士学科专业微电子学与固体电子学提交论文日期2016.03.18论文答辩日期2016.05.10学位授予单位和日期电子科技大学2016年06月日答辩委员会主席评阅人注1：注明《国际十进分类法UDC》的类号。AResearchofMulti-functionSwitched-beamAntennaArrayAMasterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina

5、Major:MicroelectronicsandSolid-StateElectronicsAuthor:ZhangYiSupervisor:AssProf.WangXiangzhanSchoolofMicroelectronicandSolid-StateSchool:Electronics摘要摘要在小尺寸器件中被广泛研究和采用的应变硅技术，通过对硅的能带结构进行裁剪，有效减小载流子的有效质量和散射率，提升载流子的迁移率。随着无线通信技术的飞速发展，为了适应高速高质量的信息传输需求，在基站和手持设备中被大量使用的硅基射频(RF)功率器件LDMOS的尺寸已经小到零点几个微米。有

6、部分研究人员为了克服LDMOS器件发展的障碍，将应变硅技术运用到小尺寸LDMOS器件中并获得了很好的效果，但这些应力实施方案没有考虑到LDMOS器件结构的特殊性，采用的依然是MOS器件中主流的的应力方法，对器件性能提升的同时使器件的击穿特性恶化。为此，我们创造性的提出了通过两种本征应变的氮化硅薄膜向LDMOS器件沟道和漂移区中引入正应力的应力施加方法，并以合作单位的小尺寸LDMOS工艺线为依托，探索应力实施方案，主要的研究工作有：首先，氮化硅薄膜中的本征应力的大小是决定LDMOS器件中引入正应力大小的关键，我们探究了通过PECVD淀积高张应力和高压应力的设备参数调节方式并做了总结

7、。根据实际设备的使用情况，制定出了淀积高应力薄膜的操作方法。其次，对于应力可能导致的硅片翘曲问题，通过有限元仿真软件Abaqus进行仿真研究，发现将应力薄膜在晶片上覆盖的面积减小时可以消除翘曲问题。接着，根据工艺线条件，制定出沟道和漂移区正应变的LDMOS器件应力实施方案，在LDMOS器件源漏区形成硅化物后，通过前端工艺在器件表面淀积一层薄的氧化层，用于后端工艺淀积本征应变的氮化硅薄膜时阻隔金属粒子对器件表面的沾污，也可以作为氮化硅与硅衬底接触的缓冲层。氧化硅淀积完成后，将器件拿