荷能重离子辐照引起inp和gan晶体结构损伤效应的研究

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1、密级:硕士学位论文荷能重离子辐照引起InP和GaN晶体结构损伤效应的研究作者姓名：胡培培指导教师:刘杰、研究员中国科学院近代物理研究所学位类别:工程硕士学科专业:材料工程研究所:中国科学院近代物理研究所二零一六年四月ThecrystalstructuredamageeffectsofInPandGaNinducedbyenergeticheavyionsByHuPeiPeiADissertationSubmittedtoUniversityofChineseAcademyofSciencesInp

2、artialfulfillmentoftherequirementForthedegreeofMasterofEngineeringInstituteofModernPhysics,ChineseAcademyofSciencesApril,2016关于学位论文使用授权的声明本人在导师指导下完成的论文及相关的职务作品，知识产权归属中国科学院近代物理研究所。本人完全了解中国科学院近代物理研究所有关保存、使用学位论文的规定，同意研巧所保存或向国家有关部口或机构送交论文的纸制版和电子版，

3、允许论文被查阅和借阅；本人授权中国科学院近代物理研究所可レッ将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可Ｗ采用任何复制手段保存和汇编本学位论文。本人离所后发表、使用学位论文或与该论文直接相关的学术论文或成果时一，第署名单位仍然为中国科学院近代物理研究所。本人同意《中国优秀博硕：±：学位论文全文数据库》出版章程的内容，愿意将学位论文提交《中国学术期刊（光盘版）》电子＂杂志社，编入ＣＮＫＩ学位论文全文数据库并充实到学位论文学＂术不端行为检测系统比对资源库，

4、同意按章程规定享受相关权、ｔ‘ｒｍ．０保密论文在解密后遵守此规定。兩主．：ｗ（Ｕ作者签名：泌噫為导师签名：日期－ｉ原创性声明户，本人郑重声明：本人所呈交的学位论文是在导师的指导下独立进行研究所取得的成果。学位论文中凡引用他人已经发表或。未发表的成果、数据、观点等，均已明确注明出处除文中已经过注明引用的内容外，不包含任何其他个人或集体己经发表或撰写的科研成果。对本文的研究成果做出重要贡献的个人和集体，均已在文中Ｗ明确方式标明。本声明的法律责任由

5、本人承担。论文作者签名：祕處撞日期：麵致谢燕子去了，有再来的时候；杨柳枯了有再青的时候；桃花谢了，有再开的时候；美好的硕士生涯却一去不复返。论文即将完成之际，感慨万千，从基础课程的学习到学位论文的完成，导师和课题组每一位师兄、师姐都给了我无言的帮助，在这里向大家致以最诚挚的谢意!首先，我要衷心感谢我的导师刘杰研究员，在刘老师的认真指导下完成了关于半导体材料辐照效应的研究工作。无论是理论还是实验，都倾注了刘老师太多的心血。尤其是实验结果分析，以及学位论文的撰写和修改等诸多的环节，刘老师

6、都认真的指导我完成。刘老师为人谦虚，治学严谨，工作扎实，为我们树立了楷模。刘老师平时不仅关心学生的学习，而且非常关心我们的思想和生活。这三年来的点点滴滴令人难忘，忙碌的学习空闲里，刘老师总会带我们去享受美丽的自然风光，忘不了兴隆山夏花之灿烂，秋叶之静美，那里的四季都有我们的欢声笑语，有我们最美的回忆。感谢张胜霞，曾健和郭航三位师姐在实验中给予我悉心的指导和帮助。感谢翟鹏飞，段敬来两位师兄在实验和论文撰写过程中给予我无私的帮助，感谢古松，习凯、叶兵和王斌几位师兄入所以来无微不至的关怀。感谢材料中心孙

7、友梅、姚会军和侯明东三位老师，以及各位师兄在实验期间辛苦的付出。也在此感谢同窗小伙伴谢璐、殷亚楠等诸位同学，感谢你们陪伴我在这荒芜的大西北度过我人生最快乐的时光！感谢我那面朝黄土背朝天的父母，谢谢你们在我成长过程中付出的艰辛和汗水，谢谢你们多年来默默的支持和鼓励。最后，由衷的感谢近代物理研究所和中国科学院大学所有的默默无闻地工作在我们身后的每一位老师，感谢你们三年来悉心的培养和呵护，谨在此向你们致以最崇高的敬意。胡培培2016年4月摘要摘要半导体产业的飞速发展推动着半导体器件和材料的更新换代，其中

8、第一代硅器件发展的相当成熟，但是由于硅属于间接带隙半导体材料，发光效率低，同时器件的尺寸受到光刻技术的限制，使得硅器件的发展面临巨大的挑战。与此同时，以InP和GaN为代表的二代和三代半导体材料的发展备受瞩目。InP是直接带隙半导体材料，电子迁移率高，抗辐射性能好。广泛应用于制备高频、高速的微波器件以及空间应用的太阳能电池，此外也是光纤通讯领域首选的衬底材料，数码率高，单色性好。GaN材料是典型的宽禁带半导体材料，击穿场强大，热导率高，导热性好，适用于制造大功率的微电子器件，主要应