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时间:2020-03-04
《GAN基LED电子束流辐照效应的研究.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、^SlTP391.410058蔬?m^^mmimimIbbI^^.MS萨岡11脉—'Y论文题目:GA罐让D电巧流福照效应慶詞因4||靡的研巧工麵:悔信工程ZZ学习方式:囚全日制臟化职攻读mBIi報副巾l^H企业导航^^S丽個完成日期:,Imm独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究成果,除,论文中不包含其他人己经发表或撰写过的研巧成果了文中特别加W标注和致谢之处外,也不包含为获得天津工业大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料一。
2、与我同工作的同志对本研巧所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。0:?学位论文作者签名:签字日期文口年2月曰学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解天津工业大学有关傑留、使用学位论文的规定。特授权去津工业大学可W将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编W供査阅和借阅。同意学校向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘。(保密的学位论文在解密后适用本授权说明)学位论文作者签名:i导师签名:趁rf抽4签字日期:20年文月签字日期:八口年月1^^日口^作
3、7学位论文的主要创新点.本文的主要创新点在于:一2、采用能量为.5GeV的电子束流对GaN器件进行福照效应的研ED究,,并通过拟合得出了L随福照剂量变化的光效曲线公式对今后一GaN的高能福照机理研巧具有定指导意义。二、应用搭建的自动测控系统,实现对福照过程中样品光电性能变化的实时监控,对样品受福照效应的影响有了直观反映,为福照能量剂量的选取具有重要意义。H、经过对比福照前后的白光LED发光性能,研巧了福照对GaN材料及英光粉发光性能的影响,将两者的福照效应结合起来,为一一进步改善LED的发光性能提出了种有效方法。I摘
4、要随着半导体器件应用的不断发展,越来越多的光电子器件需要工作在福照极端恶劣的环境中,这对光电子器件抗福照能力提出了更高的要求。GaN材料作为第H代半导体的代表,在许多光电器件方面具有重要应用。氮化嫁(GaN)材料具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好等诸多优点,在光电子、高温大功率器件和商频微波器件等方面都有重要应用,而且采用盛光GaN与巧光粉复合生成白光是制作白光UD的重要方法。同时GaN材料具有较强的抗福照能力,在未来空间探测W及核技术中GaN器件必将具有广阔的应用前景,GaN?及器件的福照效应意义重大因此研巧材料。
5、本文主要研巧了不同能量和剂量的电子束流福照对GaN基LED的光电学性能的影响,重点研究GaN基化D的峰值波长、光强、色温、色纯度、工作电流等参数受电子束福照效应影响。本文主要做了W下研究:1.利用2.5GeV电子束流福照GaN基LED时,随着福照的剂量的不断增加LED的光功率呈指数下降,工作电流不断升高,发光波长出现了篮移,而且经点亮福照的LED,在福照后工作性能更加稳定,这主要是因为福照过程中产生了不同类型的缺陷,同时福照中存在点亮自退火的过程。2LED.利用1.5MeV电子束流福照白光灯板时,福照使LED的光效增离16%,峰值波
6、长发生蓝移、色温升高、色纯度下降,这主要是因为福照过程使巧3+光粉的基质(YAG)与稀±元素发光中也(Ce)的距离减小,发光中也数量增多W及极化效应使GaN材料的禁带宽度变大等作用所引起的。3.通过蒙特卡洛方法对高能电子福照过程中电子能量的传输W及射程分布,CAS进行了模拟,并基于W上模拟理论建立简化的随机模型用INO软件对福照过程中电子运行轨迹进行了仿真。仿真结果与理论分析结果吻合较好,表明使一定的实用价值用该方法模拟商能电子福照能量传输过程具有。关键词:GaN基LED;电子束流箱照;峰值波长;光效;蒙特卡洛模拟Abs化act
7、WiththedevelopmentofSemico打ductordevic朗moreandmoreotoelectronic,pdevicesneedtoworki打化eharshenvironmentofirradiation.Thisimproves化e-Asreuirementsofantiirradiationabdityforoptoelectro打icdevices.化erepresentativeqofasmthethirdenerationsemiconduc
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