GAN基LED电子束流辐照效应的研究.pdf

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1、＾ＳｌＴＰ３９１．４１００５８蔬？ｍ＾＾ｍｍｉｍｉｍＩｂｂＩ＾＾．ＭＳ萨岡１１脉—＇Ｙ论文题目：ＧＡ罐让Ｄ电巧流福照效应慶詞因４｜｜靡的研巧工麵：悔信工程ＺＺ学习方式：囚全日制臟化职攻读ｍＢＩｉ報副巾ｌ＾Ｈ企业导航＾＾Ｓ丽個完成日期：，Ｉｍｍ独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究成果，除，论文中不包含其他人己经发表或撰写过的研巧成果了文中特别加Ｗ标注和致谢之处外，也不包含为获得天津工业大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料一。

2、与我同工作的同志对本研巧所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。０：？学位论文作者签名：签字日期文口年２月曰学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解天津工业大学有关傑留、使用学位论文的规定。特授权去津工业大学可Ｗ将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编Ｗ供査阅和借阅。同意学校向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘。（保密的学位论文在解密后适用本授权说明）学位论文作者签名：ｉ导师签名：趁ｒｆ抽４签字日期：２０年文月签字日期：八口年月１＾＾日口＾作

3、７学位论文的主要创新点．本文的主要创新点在于：一２、采用能量为．５ＧｅＶ的电子束流对ＧａＮ器件进行福照效应的研ＥＤ究，，并通过拟合得出了Ｌ随福照剂量变化的光效曲线公式对今后一ＧａＮ的高能福照机理研巧具有定指导意义。二、应用搭建的自动测控系统，实现对福照过程中样品光电性能变化的实时监控，对样品受福照效应的影响有了直观反映，为福照能量剂量的选取具有重要意义。Ｈ、经过对比福照前后的白光ＬＥＤ发光性能，研巧了福照对ＧａＮ材料及英光粉发光性能的影响，将两者的福照效应结合起来，为一一进步改善ＬＥＤ的发光性能提出了种有效方法。Ｉ摘

4、要随着半导体器件应用的不断发展，越来越多的光电子器件需要工作在福照极端恶劣的环境中，这对光电子器件抗福照能力提出了更高的要求。ＧａＮ材料作为第Ｈ代半导体的代表，在许多光电器件方面具有重要应用。氮化嫁（ＧａＮ）材料具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好等诸多优点，在光电子、高温大功率器件和商频微波器件等方面都有重要应用，而且采用盛光ＧａＮ与巧光粉复合生成白光是制作白光ＵＤ的重要方法。同时ＧａＮ材料具有较强的抗福照能力，在未来空间探测Ｗ及核技术中ＧａＮ器件必将具有广阔的应用前景，ＧａＮ？及器件的福照效应意义重大因此研巧材料。

5、本文主要研巧了不同能量和剂量的电子束流福照对ＧａＮ基ＬＥＤ的光电学性能的影响，重点研究ＧａＮ基化Ｄ的峰值波长、光强、色温、色纯度、工作电流等参数受电子束福照效应影响。本文主要做了Ｗ下研究：１．利用２．５ＧｅＶ电子束流福照ＧａＮ基ＬＥＤ时，随着福照的剂量的不断增加ＬＥＤ的光功率呈指数下降，工作电流不断升高，发光波长出现了篮移，而且经点亮福照的ＬＥＤ，在福照后工作性能更加稳定，这主要是因为福照过程中产生了不同类型的缺陷，同时福照中存在点亮自退火的过程。２ＬＥＤ．利用１．５ＭｅＶ电子束流福照白光灯板时，福照使ＬＥＤ的光效增离１６％，峰值波

6、长发生蓝移、色温升高、色纯度下降，这主要是因为福照过程使巧３＋光粉的基质（ＹＡＧ）与稀±元素发光中也（Ｃｅ）的距离减小，发光中也数量增多Ｗ及极化效应使ＧａＮ材料的禁带宽度变大等作用所引起的。３．通过蒙特卡洛方法对高能电子福照过程中电子能量的传输Ｗ及射程分布，ＣＡＳ进行了模拟，并基于Ｗ上模拟理论建立简化的随机模型用ＩＮＯ软件对福照过程中电子运行轨迹进行了仿真。仿真结果与理论分析结果吻合较好，表明使一定的实用价值用该方法模拟商能电子福照能量传输过程具有。关键词：ＧａＮ基ＬＥＤ；电子束流箱照；峰值波长；光效；蒙特卡洛模拟Ａｂｓ化ａｃｔ

7、ＷｉｔｈｔｈｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＳｅｍｉｃｏ打ｄｕｃｔｏｒｄｅｖｉｃ朗ｍｏｒｅａｎｄｍｏｒｅｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ，ｐｄｅｖｉｃｅｓｎｅｅｄｔｏｗｏｒｋｉ打化ｅｈａｒｓｈｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔｏｆｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ．Ｔｈｉｓｉｍｐｒｏｖｅｓ化ｅ－Ａｓｒｅｕｉｒｅｍｅｎｔｓｏｆａｎｔｉｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎａｂｄｉｔｙｆｏｒｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏ打ｉｃｄｅｖｉｃｅｓ．化ｅｒｅｐｒｅｓｅｎｔａｔｉｖｅｑｏｆａｓｍｔｈｅｔｈｉｒｄｅｎｅｒａｔｉｏｎｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ