基于氧化铝薄膜的阻变存储器特性与亚能带传输机理研究

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1、非－可啤点；茲嚴巧畢濟．－心－－ｙ；甲．．－－‘义至禮占大聋ＤＡＬＩＡＮＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹＯＦＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ预±韋恆巧交ＭＡＳＴＥ民ＡＬＤＩＳＳＥＲＴＡＴＩＯＮＭ基于氧化铅薄膜的阻变存储器特性与亚能带传输机理研究学科专业＿＿＿靖鱼壬学互图＿往电壬学＿作者姓名奎＿腊刘铭狂副教授指导教师答辩日期２０化生ｇ且硕±学位论文基于氧化错薄膜的阻变存储器特性与亚能带传输机理研究Ｔｈｅｃｈａｒａｃ化ｎｓｃｕｂ－ｏｒｍｅｃｈａｎｓｍｓｗｉｔｃ

2、ｈｉｎｔｉｓａｎｄｓｂａｎｄｔｒａｎｓｔｉｇｐｏｆ－ｔｃＡｌｘＯｙｂａｓｉｃｒｅｓｉｓｔｉｖｅｓｗｉｈｉｎｇｄｅｖｉｃｅｓ作者姓名：奎壓学科、专业：微电子学与固体电子学学号：２１３０２０６３指导教师；刘艳红０５２５完成日期：２０１６．．大違巧义乂＃ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｙｇｙ大连理工大学学位论文独创性声明作者郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下进行研究工作所取得的成果。尽我所知，除文中己经注明引用内容

3、和致谢的地方外，本论文不包含其他个人或集体邑经发表的巧究成果，也不包含其他己申请一学位或其他用途使用过的成果。与我同工作的同志对本研究所做的贾献均臣在论文中做了明确的说明并表示了谢意。若有不实之处，本人愿意承担相关法律责任。学位论文题目：蔓３批姑Ｉ嘘如的是恭／巧楚鮮如化＾巧々轉／的絲研幸作者签名；＃鹏日期：年／月日大连理工大学硕±学位论文摘要巧ａ化是目前应用最广泛的非易失性存储器，由于存在器件间满合的问题，限制了其一Ｌ尺寸的进步减小，急需寻找可替代的新型非易失性存储器，义满足信

4、息技术发展的需一要。阻变随机存储器（ＲＲＡＭ）作为新型非易失存储器的种，具备着结构简易、集成一度高、功耗低，。、转换速率快、微缩性好等优势成为当前的研巧热点之氧化招是ＣＭＯＳ技术中重要的介质材料，氧化铅基ＲＲＡＭ具有极大的潜力。本文研巧了Ａ／Ａ－ＳｉｇｌｘＯ／Ｐ结构的阻变特性及其状态转换机理。本文首先回顾了半导体存储器的发展及其特点，介绍了目前确定的阻变随机存储器的状态转换机制。然后利用原子层沉积技术（ＡＬＤ）沉积氧化侣薄膜，瓣射法制备金属－Ｖ特性曲线测试表征了存储能力银电极。通过Ｉ，用Ｘ射线光电

5、子能谱（ＸＰＳ）分析氧ｂ－化锅薄膜结构特点。最后，根据其结构特点，采用亚能带（ｓｕｂａｎｄ）模型很好的解释Ａ－了在Ａ／ｌｘ〇／ＰＳｉ结构的ＲＲＡＭ状态转换机制。ｇｙ－测试表面，Ａ／ＡｌｘＯ／ＰＳｉ器件在不同尺寸下都表现出典型的双极性ｏｒｍｉｎｇｙ、无Ｆｇ电压特点，器件参数具有离散性。温变特性中开态电阻（Ｒｏｎ）表现出类半导体特性，从－ｂ而确定了ｓｕｂａｎｄ传导机制的合理性。ＡＬＤ－关键词：阻变随机存储器）Ｏ亚能带（ｓｕｂｂａｎｄ）；原子层沉积法（；ＡＬｙ；模型－－Ｉ大连理工大学硕±学

6、位论文Ｔｈｅｓｗｕｂ－ｉｔｃｈｉｎｇｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓａｎｄｓｂａｎｄｔｒａｎｓｏｒｔｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆｐ－ＡｌｘＯｂａｓｉｃｒｅｓｉｓｔｉｖｅｓｗｉｔｃｈｉｎｄｅｖｉｃｅｓｙｇＡｂ巧ｒａｃｔ－Ｆｌａｓｈｉｓｔｈｅｍｏｓｔｗｉｄｅｌｕｓｅｄｎｏ打ｖｏｌａｔｉｌｅｍｅｍｏｒｄｕｅｔｏｔｈｅｅｘｉｓｔｅｎｃｅｏｆｔｈｅｒｏｂｌｅｍｏｆｙ，ｙｐｃｏｕｌｉ打ｂｅｔｗｅｅ打ｄｅｖｉｃｅｓｌｉｍｉｔｉｎ呂ｔｈｅｓｉｚｅｆｉｉｒｔｈｅｒｄｅ

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