喹诺酮类药物分子印迹传感器的研究

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4、FulfillmentoftheRequirementsfortheDegreeofMasterofScienceByLiJinSupervisor:Prof.YanChanglingMay,2016摘要分子印迹技术（molecularimprintingtechnology）是合成对某一特定目标分子（印迹分子，模板分子）具有特异选择性的聚合物，具有预定性，较高的识别性，抗外界环境干扰性强，可重复使用等的优点，其在电化学传感器领域的应用近些年引起广泛关注。分子印迹聚合物膜固定在电极上的方法有很多种，其中电化学聚合法具有制备简单、膜厚可控、膜在电极上的附着力能力强、重现性好等的特点，用该方法制

5、备传感器可以提高工作效率。本论文简要介绍了喹诺酮类药物的应用现状，将分子印迹技术与电化学技术相结合,利用电化学聚合法获得了喹诺酮类药物分子印迹电化学传感器。用方波伏安法（SWV）表征对分子印迹电化学传感器的性能，并将其应用于药物制剂的检测。其主要内容概述如下:（1）吡咯（Py）和邻苯二胺（o-PD）为复合单体，盐酸环丙沙星（CPX）为模板，采取循环伏安法(CV)合成了一种盐酸环丙沙星传感器。采用方波伏安法研究了该传感器-3-9对盐酸环丙沙星的响应特性，在最优的实验条件下，实验结果表明在1.0×10~1.6×10mol/L范围内，分子印迹电化学传感器的峰电流差(△i)与盐酸环丙沙星浓度的对数呈

6、现-11线性（相关系数为R=0.9981），最低检测限为7.58×10mol/L（S/N=3），该印迹传感器具备良好的选择性，将该印迹传感器测定实际药片中的盐酸环丙沙星含量，其标准偏2.01%~3.27%。（2）以吡咯和邻苯二胺为单体，恩诺沙星（EF）为模板，通过电聚合法合成了一种对恩诺沙星具有特异选择性的分子印迹电化学传感器。通过方波伏安法表征了该印迹电极的电化学性能，实验证明恩诺沙星传感器表现出了选择性好，灵敏度高，对恩诺沙-4-10-13星的线性检测范围是1.0×10~1×10mol/L，相关系数R=0.9994，检测限6.57×10mol/L（S/N=3），该传感器成功测定了药物中恩

7、诺沙星的含量。（3）利用分子印迹技术和电化学聚合方法结合的方法制备诺氟沙星分子印迹传感器。通过方波伏安法研究该传感器的电化学行为，结果表明在优化实验条件下，诺氟沙I-3-9星（NRF）的浓度在1.0×10~1.0×10mol/L范围内，浓度负对数与峰电流差呈线性关系，其线性方程：△i=2.07879+0.19926logc（mol/L），其相关系数为R=0.9992，检出限-11为3.69×10mol/L，所