oled铟封装技术的研究

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2、．二．‘．．．，辛一＂‘，护０Ｌ孤铜封装技术的妍究皆；巧．论文題目ｍ专业学位类别工程硕±ｎ．学号２０１３２２０５０５１５作者姓．名１？１＾１指导教师李军建副教授．－■ｒ；■．－：！＇■．■－１－；ｑ社‘＇．．．＇．二ｉ；Ｊ古絲ｒ独剑性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中恃别加Ｗ标注和致谢的地方外，论文中不包含其＾也人己经发表或撰写过的研究成果，也不包含

3、为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。作者签名：聲雪今日期：２〇／《年（月２日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可Ｗ将学位论－｜文的全部或部分内容编入有关数据库进斤检索，可［＾采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。．（保密的学位论文在解密后应遵守此

4、规定）作者签名；着雪导师签名：呼兴日期：？／名年／月么日分类号密级注1UDC学位论文OLED铟封装技术的研究（题名和副题名）曹雪峰（作者姓名）指导教师李军建副教授电子科技大学成都（姓名、职称、单位名称）申请学位级别硕士专业学位类别工程硕士工程领域名称光学工程提交论文日期2016.4.6论文答辩日期2016.5.20学位授予单位和日期电子科技大学2016年6月答辩委员会主席评阅人注1：注明《国际十进分类法UDC》的类号。THESTUDYOFINDIUMSEALINGINGTECHNOLOGYFOROLEDAMasterTh

5、esisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaMajor:MasterofEngineeringAuthor:CaoXuefengSupervisor:AssProf.LiJunjianSchool:SchoolofOptoelectronicInformation摘要摘要近十年来OLED技术在全球范围内发展很迅猛。OLED器件具有：自主发光、超轻、超薄、发光效率高、响应速度块、耗能低以及能用于柔性显示等优点，是一种非常理想的照明材料，同时在显示器件领域被

6、誉为下一代显示器件之星。现阶段OLED器件存在着良品率不高，器件使用寿命短等致命缺点，严重的阻碍了OLED器件的商业化进程，如何提高器件的寿命一直是国内外研究的热点问题。由于发光材料会由于微量水蒸气和氧气的存在而性能下降或失效，如果水蒸气和氧气对封装材料或封装结构的渗透率大，会严重的缩短器件的寿命，所以提升OLED器件寿命最有效的方法之一是对器件进行对水蒸气和氧气的高阻隔性封装。本文首先介绍了OLED器件的发展进程，分析了OLED器件相对于其他显示器件的优点和不足，总结出提高OLED器件的使用寿命对加快器件商业化进程具有十分重要的意义。

7、详细阐述了OLED器件的结构和发光原理，分析了OLED器件的失效机理和主要外界因素，然后对目前用于OLED器件封装的各种方法进行了研究，分析了各封装方法与工艺的优缺点，选择热熔铟封接方法作为研究方向，并着重介绍了已有的热熔铟封装方法，发现了热熔铟封装工艺在封装OLED器件时分析了这些方法的优点和不足，提出了用激光局部加热完成OLED器件封装的新方法，以及激光铟封接要解决的关键问题。针对激光铟封接OLED器件的关键问题，论文在第四章中首先设计了激光加热铟封接OLED器件的结构，提出玻璃/SiO2/Cr/Ag-Cu结构作为OLED铟封接中的

8、绝缘层和金属过渡层，根据设计的结构，采用磁控溅射技术镀制了SiO2绝缘层和金属过渡层，制备了用于铟封装的器件基板和盖板，随后对比铟熔点更低的In-Sn合金的成分配比与合金熔点的关系进行了研究，将In:Sn=