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时间:2019-03-07
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1、电子科技大学UNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINA硕士学位论文MASTERDISSERTATION(电子科技大学图标)论文题目:超薄层蓝色磷光OLED器件及封装工艺研究学科专业:光学工程指导教师:钟建作者姓名:高娟学号:200921050519万方数据分类号密级UDC学位论文超薄层蓝色磷光OLED器件及封装工艺研究(题名和副题名)高娟(作者姓名)指导教师姓名钟建副教授电子科技大学成都(职务、职称、学位、单位名称及地址)申请学位级别硕士专业名称光学工程论文提交日期2012.4论文答辩日期2012.
2、5学位授予单位和日期电子科技大学答辩委员会主席于军胜评阅人于军胜蒋泉2012年05月31日注1注明《国际十进分类法UDC》的类号万方数据独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。签名:高娟日期:2012年05月31日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位
3、论文的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)签名:高娟导师签名:日期:2012年05月31日万方数据摘要摘要有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)自1979年被C.W.Tang发现以来,经过33年的发展,如今已成为显示及照明行业中最炙手可热的研究方向。但是目前仍然面临一系列的问题:在器件方面,蓝色磷光器件
4、的研究一直处于相对落后的状态,研究高性能的蓝色磷光材料、合理的器件结构从而提高器件效率和改善色度,成为发展蓝色磷光OLED的首要任务;在器件寿命方面,现有的封装技术已经满足不了OLED应用的寿命要求,尤其是正在起步阶段的薄膜封装方面,更是有待进一步改进封装设备、设计封装结构来提高器件的寿命。本论文针对上述的问题,分别从蓝色磷光器件结构和封装方法上进行了一些探索性的研究实验,具体包括:1.在掺杂型蓝色磷光OLED器件方面,分别从电子阻挡层和空穴阻挡层方面进行器件结构优化:选用空穴传输材料TAPC作电子阻挡层,通过对其厚度的优化,制备了器件ITO/NPB(4
5、5nm)/TAPC(5nm)/mCP:FIrpic(8%,25nm)/Bphen(35nm)/Mg:Ag。在亮2度为1000cd/m时,器件的电压为7V,功率效率2.49lm/W。选用磷光主体材料UGH2作空穴阻挡层,通过优化其厚度制备了器件:ITO/NPB(45nm)/TAPC(5nm)/mCP:FIrpic(8%,25nm)/UGH2(5nm)/Bphen(352nm)/Mg:Ag。在电流密度为100mA/cm,电压为10.6V时,其功率效率为8.82lm/W。2.针对超薄量子阱结构作发光层的蓝色磷光OLED探索,进而对双波段白色磷光OLED器件的结
6、构进行了初步探索。具体包括:选用磷光主客体材料mCP、FIrpic,发光层采用“主体/客体/主体”的量子阱结构。通过对发光客体材料厚度的优化,得到发光稳定、高效的蓝色磷光器件:ITO/NPB(55nm)/TAPC(5nm)/mCP(2nm)/FIrpic(0.2nm)/mCP(2nm)/Bphen(50nm)/Mg:Ag(10:1,100nm)。器件启亮电压为7.8V,在8.1V时达到最大流明效率9.54lm/W,发光光谱波峰在466nm处。采用多量子阱结构作发光层的方式,制备了五个基于磷光材料FIrpic的蓝色磷光OLED器件。通过优化得出了发光层中最
7、佳的量子阱个数为4。器件的启亮电2压仅有2.5V;当电流密度在100mA/cm,电压值为6V时,器件的功率效率为I万方数据摘要5.72lm/W;其光谱较之于材料FIrpic蓝移了9nm,已经进入纯正蓝光的范围。选用采用Firpic和Ir(2-phq)2(acac)作客体,发光层为5个量子阱组成,利用了加色法原理设计了两个器件。通过对比得出其最佳发光层结构:(mCP(2.5nm)/FIrpic(0.3nm)/mCP(2.5nm))2/Ir(2-phq)2(acac)(0.3nm)/(UGH2(2.5nm)/Ir(2-phq)2(acac)(0.3nm)/U
8、GH2(2.5nm))2。在工作电压8V时,达到最高功率效率3.38lm/W,其
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