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时间:2019-03-16
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1、单位代码106351学号112013315001074硕士学位论文BaTiO3薄膜的电阻开关特性的研究论文作者:魏陆军指导教师:陈鹏教授学科专业:凝聚态物理研究方向:纳米磁性与自旋电子学提交论文日期:2016年5月论文答辩日期:2016年6月学位授予单位:西南大学中国重庆2016年6月ResearchonresistanceswitchingpropertiesinBaTiO3film(M.S.Dissertation)ByLujunWeiAdvisor:Prof.PengChenSchoolofPhysicsScience&Te
2、chnologySouthwestUniversity,ChongqingJun,2016.广独创性声明学位论文题目:BaT沿3薄臆的电阳开关轉巧的研究I本人提交的学位论文是在导师指导下进行的研究工作及取得的研巧成果。论文中引用他人已经发表或出版过的研究成果,文中己加了特别标注。对本研究及学位论文撰写曾做出贡献的老师、朋友、同仁在文中作了明确说明并表示衷也感谢。学位论文作者:是签字日期:年/月1日^t学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解西南大学有关保留、使用学位论文的规,允
3、定,有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘许论文被查阅和借阅。本人授权西南大学研究生院(筹)可W将学位论文的全部或部分内容编入有关毁据库进行检索,可W采用影印、缩印或扫描等复制手段保存。、汇编学位论文(保密的学位论文在解密后适用本披权啼,本论文:□不保密,□保密期限至年月止)。:学位论文作者签名:f乱}if导师签名了:曰签字曰期:又則/年/月曰签宇曰期如年/月I/目录摘要.........................................................
4、........................................................................IAbstract...........................................................................................................................III第一章绪论.........................................................
5、.........................................................11.1引言....................................................................................................................11.2存储器的介绍................................................................................
6、....................11.2.1磁存储器(MagnetoresisitiveRandomAccessMemory,MRAM)...........21.2.2铁电存储器(FerroelectricRandomAccessMemory,FeRAM)...............21.2.3相变存储器(PhaseChangeMemory,PCM)............................................31.2.4阻变存储器(ResistanceRandomAccessMemory,RR
7、AM)....................41.3本论文的研究的意义和内容..........................................................................121.3.1研究的意义.............................................................................................121.3.2研究的内容.......................................
8、......................................................12参考文献.........................................................
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