面向三维集成硅通孔互连信号完整性和电气建模的研究

面向三维集成硅通孔互连信号完整性和电气建模的研究

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1、NanjingUniversityofAeronauticsandAstronauticsTheGraduateSchoolCollegeofElectronicandInformationEngineeringSignalIntegrityAnalysisandElectricallyModelingofThroughSiliconViaConnectionin3DIntegrationAThesisinElectronicsScienceandTechnologybyHeXiangAdvisedbyProfe

2、ssorCaoQunshengSubmittedinPartialFulfillmentoftheRequirementsfortheDegreeofMasterofEngineeringDecember,2012承诺书本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师指导下,独立进行研究工作所取得的成果。尽我所知,除文中已经注明引用的内容外,本学位论文的研究成果不包含任何他人享有著作权的内容。对本论文所涉及的研究工作做出贡献的其他个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人授权南京航空航天大学可以有权保留送交论文的复印

3、件,允许论文被查阅和借阅,可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。(保密的学位论文在解密后适用本承诺书)作者签名:日期:南京航空航天大学硕士学位论文摘要几十年以来,电子系统一直朝着高性能、小型化、低成本、低功耗和多功能的趋势发展。为满足这一发展需求,三维集成逐渐成为满足应用需求的关键技术。在三维集成系统或三维芯片中,硅通孔(ThroughSiliconVia,TSV)是其核心技术,它能够为堆叠芯片实现短的垂直互连。本论文针对三维集成中的硅通孔互连技术从高速信

4、号完整性、硅通孔电气建模与硅通孔MOS电容效应几个方面展开深入的研究。本文主要研究工作可以概括为:一、对TSV集成技术和工艺技术进行了学习和调研,在此基础上,建立TSV互连通道的三维全波仿真模型,对其结构和材料参数进行详细的频域仿真分析,对比研究各项参数对其传输特性的影响规律,得出具有实用价值的设计指导意见。二、在对串扰机理深入研究的基础上,针对TSV互连之间的串扰问题分为以下几方面进行了深入细致的研究:1)在频域仿真的基础上,利用SPICE仿真工具从时域角度更为直观地评估TSV结构和材料配置对串扰的影响;2)分

5、析多攻击线对串扰噪声的影响;3)仿真研究不同TSV阵列布局对TSV之间串扰的影响,并为抑制串扰提供技术参考。三、针对后通孔工艺制作的带微凸块地-信号-地硅通孔互连通道,基于物理结构的RLGC解析公式,对通道的各个部位建立参数可调的等效电路模型。该等效电路模型中的每个元件都代表着明确的物理意义。此外,结合三维场求解工具对该TSV互连通道模型的仿真结果,验证该等效电路模型在0.1-20GHz宽频带内的准确性和可伸缩性。四、针对TSV的MOS电容效应进行了深入的理论研究和仿真分析。基于耗尽层完全耗尽的近似分析,得出TS

6、V内外表面耗尽层的半径和电容的计算公式,对比研究TSV各项参数对TSV电容的影响。基于详实的研究数据,最后初步总结可用于信号传输网络、电源配送网络和变容器的TSV设计指南。关键词:三维集成,硅通孔,传输性能,串扰,信号完整性,等效电路模型,耗尽层,MOS电容I面向三维集成的硅通孔互连信号完整性与电气建模研究ABSTRACTDuringthepastdecades,thetrendinconsumerelectronicshasbeentodevelopproductswithbetterperformance,s

7、mallersize,lowercost,andenhancedfunctionality.Tokeepupwiththeindustrialneed,three-dimensional(3-D)integrationisbecomingnecessary.In3-Dintegrationsystemor3DIC,throughsiliconvia(TSV)isthecoretechnologythatprovidesaverticalinterconnectionwithgreatlyreducedinterc

8、onnectionlengthamongthestackeddies.Theobjectiveofthisdissertationistoaddresshigh-speedsignal-integrityissueswhichincludesignalattenuationandcrosstalkamongTSVsin3Dintegration,andtoelectric

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