tft模组 制程简介(3)新技术应用篇

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1、TFT模組製程簡介(3)新技術應用篇Harry.Yau整理顯示元件特性項目非晶矽TFT低溫複晶矽TFTMOSFET材質6G(1350X1650)4G玻璃(680X880)6”矽晶圓基板面積2227500mm2598400mm218232mm2溫度<350度<600度>800度製設計準則5um1.5um0.35um程使用光罩數4~5道5~9道22~24道閘極氧化層厚度300nm80~150nm7.8nm臨界電壓1V1.2V0.875V特載子移動率0.5~1cm2/v.s>100cm2/v.s>250cm2/v.

2、s性操作電壓15~25V5~15V3.5VHarry.Yau低溫複晶矽之優點1.低功率消耗:較少的背光源;較少零件消耗,4000接點變200個2.低電磁干擾:a.內建驅動電路,使外部信號接線減少80%(-4db)b.減少印刷電路板使用數目40%c.減少內引腳所造成的電容與電感效應3.高解析度:1024x768(XGA)à1280x1024(SXGA)驅動IC:384通道(70um)à512通道(50um)4.高開口率:提高10%,亮度增1.8倍5.整合驅動電路:同時製造開關陣列及周邊驅動電路,可達三邊無IC的

3、面板模組;接線減少及外貼IC少;節省總成本2.5%6.窄框化:a.採用1.5um面板設計準則b.WOG(WringonGlass),SOG(SystemonGlass)7.系統積集化:高;且逐步實現系統整合面板理想(SOP,SystemonPanel)Harry.Yau(H-co.5G)ArrayProcessFlowChartPEPNo.PEP1GatePEP2IslandPEP3S/DPEP4THPEP5ITOCleaner-BPreCleanCleaner-BCleaner-ACleaner-BClea

4、ner-BGlassInputPVDPVDThinFilmPVDCVD3-LayerCVDpSiNMo/Al/MoITOMo/Al-Nd/MoPostCleanCleaner-APhotoPhotoPhotoPhotoPhotoPhotoEtchWetEtcherWetEtcherWetEtcherRIEDryPEDryHDPDryStripperEtcherEtcherEtcherAnnealStripperStripperStripperStripperStripper去光阻TesterRemark:Ph

5、oto=Coater/Exposure/DevelopCVD:chemicalvapordeposition化學氣相沉積HDP:highdensityplasma高密度電漿PVD:物理氣相沉積Harry.YauRIE:reactiveionetching反應離子蝕刻CF基本特性*玻璃基板:1.熱膨脹係數小(造成層膜剥離或Crack不良)-7(康寧:37.8x10/℃)2.平坦性佳a.翹曲<=0.1%;b.波紋<=0.1um/cmc.粗糙度<5nm*BM層:防止產生光漏電流及斜漏光不良層膜材料:遮光性強(光學濃

6、度(OD值>3.5);附著性佳;反射率低<7%;*ITO層:1.低面阻抗:做Common信號的傳輸用<=30Ω/□2.高透過率:>=88%(以550nm波長測試)Harry.YauCF基本特性*RGB層:1.高透過率:435nm(B)à60~80%;545nm(G)à72~86%;610nm(R)à72~96%;2.高色純度:NTSCxyTFT-LCDxyR0.670.33à0.600.34G0.210.71à0.300.54B0.140.08à0.130.15*TFT製程要求:1.耐熱性:Oven爐200~

7、230℃,1~4HTest2.耐化性:浸泡25℃化學液中1H後放入230℃1~2H,光學特性做前後比較;Harry.YauCF製造方法•CF製造方法:染色法,蝕刻法,電著法,印刷法,乾膜轉寫法,顏料分散法(最多佔90%)顏料分散法:研磨後的顏料分散液與感光性樹脂溶液混合形成的顏料光阻劑(R,G,B三種);1.紅色光阻塗佈於玻璃à軟烤à曝光à顯影à硬烤àR圖案2.綠色光阻塗佈於玻璃à軟烤à曝光à顯影à硬烤àG圖案3.藍色光阻塗佈於玻璃à軟烤à曝光à顯影à硬烤àB圖案Harry.YauIntegratedColo

8、rFilter(colorfileronTFT)ArrayCOT:1.將CF直接製作在TFT陣列上,因此基板不須精細的畫素(COA)對準動作(不會有漏光及MURA發生)。2.可大幅減少BM面積(甚至不用BM);故可大幅提高開口率(+20%),亮度(220-300cd/m2約30%)。玻璃基板共用電極黑色矩陣LClayer畫素電極Passivation(不易起化學變化及平坦化)Col

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