北京半导体物理课件1new

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1、上一次课的主要内容∑PN结的结构∑工作原理:单向导电性?平衡情况?非平衡情况∑PN结静电变量的定量描述∑PN结二极管电流特性的定量描述(稳态响应)∑PN结二极管的击穿1RuHuang,IME,PKU突变结耗尽近似正负电荷2RuHuang,IME,PKU耗尽区宽度单边突变结:P+/N结,N>>NAD3RuHuang,IME,PKUIs4RuHuang,IME,PKU∑PN结的结构∑工作原理?平衡情况?非平衡情况∑PN结静电变量的定量描述:二极管和其他器件建模的基础?平衡?非平衡?线性缓变结(自学)∑PN结二

2、极管电流-电压特性的定量描述∑PN结二极管的击穿∑PN结二极管的小信号特性∑PN结二极管的瞬态响应∑基本电路应用5RuHuang,IME,PKU∑小信号响应∑器件的交流响应表征:小信号导纳Y=i/va∑PN结二极管结区的响应Y=G+jωC外加直流电压的函数∂Q(V,ω)非本征串联电C(V,ω)=交流电容∂V阻,有些情况下可忽略一定直流偏压下,电压微小变化相应的电荷变化量6RuHuang,IME,PKU反向偏置交流行为:偏置周期内,正半周/负半周情况耗尽区宽度随电压的微小变化而微小变化,两边耗尽电荷波动势垒

3、电容/耗尽层电容可以看作距离w的平行P型N型板电容器xpxεsε0SnC=TWP型N型多数载流子流入/流出,能跟上变化:器件随交xpxn流信号准静态变化7RuHuang,IME,PKU势垒电容与传统平行板电容的区别•平行板电容器:电容不随电压V变化•PN结势垒电容是偏压V的函数εεSs0C=TW单边突变结:如果轻掺杂一边(x>0)杂质浓度分布:e.g.,m=0,突变结8RuHuang,IME,PKU变容管:电压可变调制、压控振荡器等关键参数:给定电压范围内的电容比:TR如果设计TR大的二极管?9RuHua

4、ng,IME,PKU∑反偏偏置下,电导很小∑二极管准静态响应交流信号:交流电导等于微分直流电导∑理想情况下:G趋于0∑产生-复合电流占主导,会有寄生电导10RuHuang,IME,PKU∑正向偏置?耗尽区边界移动类似反偏情况,存在势垒电容?会出现交流信号引起的少数载流子电荷涨落:扩散电容?扩散电导11RuHuang,IME,PKU扩散电容∑正偏情况下,N区和P区扩散长度范围内出现非平衡少数载流子的积累∑电压增大,注入的非平衡载流子增加,N区扩散长度内非平衡空穴增大;同样对于P区非平衡电子:出现少数载流子的

5、涨落∑扩散电容:扩散区中电荷数量随外加电压变化而变化产生的电容效应12RuHuang,IME,PKU13RuHuang,IME,PKU某一偏置电压点斜率少数载流子是否能够跟上信号的变化?扩散电容、扩散电导的频率相关性详细推导:从交流情况下的少子扩散方程出发14RuHuang,IME,PKU∑反偏情况下:PN结等效为一个电容,电导很小∑正偏情况下:扩散电容、扩散电导、势垒电容小信号等效电路模型:与电路设计的接口15RuHuang,IME,PKU∑PN结的结构∑工作原理?平衡情况?非平衡情况∑PN结静电变量的

6、定量描述:二极管和其他器件建模的基础?平衡?非平衡?线性缓变结(自学)∑PN结二极管电流-电压特性的定量描述∑PN结二极管的击穿∑PN结二极管的小信号特性∑PN结二极管的瞬态响应∑基本电路应用16RuHuang,IME,PKU∑PN结二极管的瞬态响应、开关响应?开关:用电流脉冲或电压脉冲将二极管开到关,或关到开?关键:开关转换过程中的速度V多子迅速再on分布,缩小导通Von耗尽区宽度关断VR17RuHuang,IME,PKU速度主要受限于关断过程t:存储延迟时间:主s要因素t:恢复时间r18RuHuang

7、,IME,PKU过剩少数载流子的消除•复合•净载流子漂移:电子流回N区;空穴流回P区单位时间内移走的少子数量受开关电路的限制反向电流19RuHuang,IME,PKU更精确的解20RuHuang,IME,PKU∑PN结的结构∑工作原理?平衡情况?非平衡情况∑PN结静电变量的定量描述:二极管和其他器件建模的基础?平衡?非平衡?线性缓变结(自学)∑PN结二极管电流-电压特性的定量描述∑PN结二极管的击穿∑PN结二极管的小信号特性∑PN结二极管的瞬态响应∑基本电路应用21RuHuang,IME,PKUPN结的I

8、-V特性利用PN结的特点©整流、稳压©嵌位、限幅、….©光电转换器件©太阳电池、光电探测、发光二极管22RuHuang,IME,PKU整流交流变直流二极管截止时,电容放电,RC延时大,电阻上电压缓慢下降,直到下一个正信号23RuHuang,IME,PKU稳压设计R,使二极管工作于击穿区Vi和负载电阻的变化不会引起输出电压太大的变化24RuHuang,IME,PKU∑应用?可变电容器?肖特基二极管?发光二极管?光电二极管?太阳能

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