cmos课程5new

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1、SEAnalogICDesignAnalogICDesignNANJINGChapter4Chapter4Devices&ApplicationsDevices&Applicationsjwu@seu.edu.cn2013-091wujinSEConstantNANJING一、无源器件及其作用RLC无源器件二、有源器件及其应用PN结BJT晶体管MOSFET交直流特性三、线性电流镜结构及其应用基本结构Cascode改进结构四、附录2wujinSEWhatisElectronicCircuits?NANJINGCircuits(Circ

2、uits(NetlistNetlist)=)=ElementsElements++ConnectionConnectionElementsordevices:PrimaryorBasicCellinthecircuit元器件在电路中的基础地位和决定性作用元器件的选择+连接关系(结构)+参数(量化)ElementsStructure&itsOperationState(Behavior)-Active/Passive;基本结构属性;-linear/Nonlinear;信号处理属性;-Small/LargerSignal;工作条件属性;

3、-Connection(Condition).典型应用属性.3wujinSEElements(Devices)NANJINGActive:有源,非线性Passive:无源,线性•PNJunction•Resistance•BJT•Capacitance•MOSFET•InductancePassive:Twoterminals;linear;Biasingunnecessary;toprovideactivedevicesoperationpoint(Biasing).Active:ExceptDiode,threeormorete

4、rminals(Why?)Staticbiasingnecessary,Generallynonlinear;linearonlyundersmallsignalapproximation(Math.)Onlyactivedevicewithmorethantwoterminalscanbeusedinamplifying,andseriousconditionsneededforlinearamplification.4wujinSEPartA:PassiveLinearElements(RLC)PartA:PassiveLine

5、arElements(RLC)NANJINGLinearresistance,Ohmlaw:V=I×R•温度系数LLρL•电压系数R=ρ=ρ=×=R×NSSW⋅ddW•匹配精度选择电阻类型(结构/材料:R),设计图形(N)SApplication,VtoI:电阻自身的设计简单,•BranchCircuitCurrentdefinition;主要考虑在电路中的电•CurrentBasing.GoodinVLSI流定义、电位调节,设Application,ItoV:定合适的工作点和匹配•CurrentLimiting;条件!电阻还是形成

6、•CurrentSensing;RC或极零点的重要因•VoltageBasing,PoorinVLSI素之一。5wujinSEPassive:LinearCapacitance&InductancePassive:LinearCapacitance&InductanceNANJINGεεCapacitance:0ox()Inductance:L=LlC=C0S=W×L0tox均为储能滤波元件,C:Easyinintegration,L:DifficultinintegrationdVt()dit()C和L功能上表现为对偶特性CIC=

7、()tLL=Vt()LdtdtLagersignal&timedomain描述1Smallsignal&frequencydomain描述XC=XL=jωLjωC电容上电压不能突变,电压纹波电感上电流不能突变,电流纹波IC中至少C不可避免,电路频率、特性、瞬态特性和稳定性问题(相移)产生的根源!Applications:时域大信号:Start-up,PulseOSC,Delay,DCseparator;频域交流小信号:SinusoidOSC,LoopCompensations,Filter6wujinSEPartB:ActiveDe

8、vicesPartB:ActiveDevicesNANJINGSimplestandprimaryactiveelement:PNJunctionordiode--正向导通(电压近似钳位),反向截止直至击穿--电流性质,扩散电流,I-

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