2005年华南理工大学半导体物理试题new

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1、490华南理工大学2005年攻读硕士学位研究生入学考试试卷（试卷上做答无效，请在答题纸上做答，试后本卷必须与答题纸一同交回）科目名称：半导体物理适用专业：微电子学与固体电子学共4页一、（20分）名词解释1、费米能级2、陷阱效应3、扩散电容4、光生伏特效应5、非平衡载流子二、（15分）简述迁移率与扩散系数的物理意义及两者的关系。二、（15分）定性分析n型非简并半导体中电导率随温度变化的关系。第1页三、（15分）试用能带图描述金属与N型半导体接触的主要接触类型，并给予适当解释；形成良好欧姆接触的两种基本方法是什么？（不考虑表面态的影响）四、（15分）光照射在一n型Si半导体样

2、品，设光被样品内部均匀吸收产生非平衡载流子，其产生率为Q。若只考虑多数载流子起作用，光生电子的寿命为，在t0时刻停止光照，求t0前后样品内非平衡载流子随时间变化的规律。3五、（15分）有n型Ge样品尺寸为1020.2（mm）[长、宽、厚]，用10mA电流沿3长度方向通过样品，并在厚度方向加上10高斯磁场，测得此时的霍尔电压为2-4mV。试求样品的霍尔系数？已知电子迁移率为3900cm/V.S，求样品的电阻率？第2页六、（15分）试求本征硅室温时本征费米能级的实际位置？若给本征硅掺入某种N型杂质，费米能级上移了0.441eV，求N型杂质的掺杂浓度？（已知Eg＝1.19

3、eV，**19-3mp＝0.59mo，mn=1.08mo，NC＝2.810cm）。七、（20分）用p型Si衬底制成的MOS电容，（1）请画出理想状态下，该结构在积163累、耗尽、弱反型及强反型下的能带示意图；（2）已知NA=110/cm，求单位－12面积的平带电容CFB(300K下)（0＝8.85410F/m,rSiO2=3.9）。第3页八、（20分）请定性画出理想情况下P型半导体形成MOS结构的高频C-V特性曲线，并对此变化规律进行定性解释。若SiO2中存有丰富的固定氧化物正电荷和陷阱界面态，高频C-V特性曲线将发生变化，请在图中定性画出该曲线并说明理由。第4

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