半导体物理答案new

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1、16第三章16163－14．（P82）计算含有施主杂质浓度ND＝9×1015cm-3及受主杂质浓度为1.1×1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。16[解]对于硅材料：ND=9×1015cm-3；NA＝1.1×1016cm-3；T＝300k时ni=1.5×1010cm-3：；∵且∴∴[毕]163－19．（P82）求室温下掺锑的n型硅，使EF＝(EC＋ED)/2时的锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。[解]由可知，EF>ED，∵EF标志电子的填充水平，故ED上几乎全被电子占据，又∵在室温下，故此n型Si应为高掺杂，而且已经简并了。∵即；故此n型S

2、i应为弱简并情况。∴16∴其中[毕]第四章1616164－13．（P114）掺有1.1×1016cm-3硼原子和9×1015cm-3磷原子的Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。[解]NA＝1.1×1016cm-3，ND＝9×1015cm-3可查图4－15得到Ω·cm（根据，查图4－14得，然后计算可得。）[毕]14、4－15．（P114）施主浓度分别为1013和1017cm-3的两个Si样品，设杂质全部电离，分别计算：①室温时的电导率。[解]n1＝1013cm-3，T＝300K，n2＝1017cm-3时，查图可得[毕]16、1616第五章5－5．（P1

3、44）n型硅中，掺杂浓度ND＝1016cm-3，光注入的非平衡载流子浓度Δn＝Δp＝1014cm-3。计算无光照和有光照时的电导率。[解]n-Si，ND＝1016cm-3，Δn＝Δp＝1014cm-3，查表4－14得到：：无光照：Δn＝Δp<

4、求而[毕]16