2006年华南理工大学半导体物理试题

《2006年华南理工大学半导体物理试题》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、490华南理工大学2006年攻读硕士学位研究生入学考试试卷（试卷上做答无效，请在答题纸上做答，试后本卷必须与答题纸一同交回）科目名称：半导体物理适用专业：微电子学与固体电子学共页一、解释下列概念：（20分）1、霍尔效应：2、共有化运动3、杂质补偿4、肖特基势垒5、非平衡载流子寿命二、简述硅和砷化镓能带结构的异同。（10分）三、简述产生半导体激光的基本条件。（10分）第1页四、简述半导体光吸收的主要物理过程，并在能带示意图上定性表示之。（10分）五、试述什么是简并、非简并半导体；给出非简并、弱简并及简并半导体的区分标准，并说明

2、其含义。（15分）六、请解释迁移率概念，并说明对于半导体硅而言影响其迁移率的主要因素。（15分）第2页七、请定性画出n-n型异质结平衡时能带图，并给予简要解释。（15分）八、用n型Si衬底制成MOS电容，解释该结构在积累、耗尽、弱反型、强反型下的电容值变化规律，并画出高频、低频的C-V曲线。（15分）第3页153九、在半导体硅材料中掺入施主杂质浓度ND=10/cm，受主杂质浓度NA=4×143510/cm；设室温下本征硅材料的电阻率i=2.2×10.cm，假设电子和空穴的迁22移率分别为n=1350cm/(V.S),

3、p=500cm/(V.S)，不考虑杂质浓度对迁移率的影响，求掺杂样品的电导率。（20分）163十、施主浓度ND=10/cm的n型单晶硅片，求室温下功函数是多少？若忽略表面态的影响，当它同金属Al、Au、Mo接触时，分别形成何种接触？并定性画出该n型硅与金属Al接触前后的能带示意图。已知硅的电子亲和能Xs=4.0eV，NC193=10/cm，设金属的功函数分别为Wal=4.05eV,WAu=5.20eV,WMo=4.21eV。（20分）第4页