半导体封装过程wire bond 中 wire loop 地研究及其优化

《半导体封装过程wire bond 中 wire loop 地研究及其优化》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、标准实用南京师范大学电气与自动化科学学院毕业设计（论文）半导体封装过程wirebond中wireloop的研究及其优化专业机电一体化班级学号22010439学生姓名刘晶炎单位指导教师储焱学校指导教师张朝晖评阅教师2005年5月30日文案大全标准实用摘要在半导体封装过程中，IC芯片与外部电路的连接一段使用金线（金线的直径非常小0.8--2.0mils）来完成，金线wirebond过程中可以通过控制不同的参数来形成不同的loop形状，除了金线自身的物理强度特性外，不同的loop形状对外力的抵抗能力有差异，而对于wirebond来说，我们希望有一种或几种loop形状的抵抗外力性能出色，这样，不仅在

2、半导体封装的前道，在半导体封装的后道也能提高mold过后的良品率，即有效地抑制wiresweeping,wireopen.以及由wiresweeping引起的bondshort.因此，我们提出对wireloop的形状进行研究，以期得到一个能够提高wire抗外力能力的途径。对于wireloop形状的研究，可以解决：（1）金线neckbroken的改善。（2）BPT数值的升高。（3）抗mold过程中EMC的冲击力加强。（4）搬运过程中抗冲击力的加强。关键词：半导体封装，金线，引线焊接,线型。文案大全标准实用AbstractDuringtheprocessofthesemiconductorass

3、embly,weusetheAuwiretoconnecttheperipheralcircuitfromtheIC.(ThediameteroftheAuwireisverysmall.Usually,it’sabout0.8mil~2mil.)AndduringtheAuwirebonding,wecangetdifferentlooptypesfromcontrolthedifferentparameters.BesidesthephysicscharacteristicoftheAuwire,thelooptypescanalsoaffecttherepellenceunderthe

4、outsideforce.Fortheprocessofthewirebond,wehopetherearesomegoodlooptypessothatimprovetherepellenceundertheoutsideforce.Accordingtothis,itcanimprovethegooddeviceratioaftermolding.ItnotonlyreducesthewiresweepingandthewireopenofAuwiresbutalsoavoidthebondshortcausebythewiresweeping.Therefore,wedothedisq

5、uisitionaboutthelooptypeforgettingthewaytoimprovetherepellenceunderoutsideforces.Thisdisquisitioncansolvetheproblemabout:(1)ImprovetheneckbrokenofAuwire.(2)HeightentheBSTdata.(3)EnhancetheresistforcetoEMCduringthemoldingprocess.(4)Decreasethepossibilityofdevicebrokenwhenitbemoved.Keyword:thesemicon

6、ductorassembly,Auwire,wirebond,wireloop.文案大全标准实用目录摘要………………………………………………………………………Abstract…………………………………………………………………1绪论……………………………………………………………………1.1本课题研究的意义………………………………………………1.2环境及实验设备简介……………………………………………1.3主要的研究工作…………………………………………………2基础知识介绍………………………………………………………2.1wirebond的介绍及基本原理………………………………2.2wireloop的

7、基本参数………………………………………2.2.1looptype（弧型）……………………………………2.2.2LH（弧高）……………………………………………2.2.3reversedistance(反向线弧长度)……………………2.2.4RDA(反向线弧角度)………………………………2.2.52ndkink(第二弯曲点)………………………………2.2.62ndkinkHTfactor(第二弯曲点高度因素)……