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时间:2019-10-28
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1、实用南京师范大学电气与自动化科学学院毕业设计(论文)半导体封装过程wirebond中wireloop的研究及其优化专业机电一体化班级学号22010439学生姓名刘晶炎单位指导教师储焱学校指导教师张朝晖文档实用评阅教师2005年5月30日摘要在半导体封装过程中,IC芯片与外部电路的连接一段使用金线(金线的直径非常小0.8--2.0mils)来完成,金线wirebond过程中可以通过控制不同的参数来形成不同的loop形状,除了金线自身的物理强度特性外,不同的loop形状对外力的抵抗能力有差异,而对于wirebond来说,我们希望有一种或几种loop形
2、状的抵抗外力性能出色,这样,不仅在半导体封装的前道,在半导体封装的后道也能提高mold过后的良品率,即有效地抑制wiresweeping,wireopen.以及由wiresweeping引起的bondshort.因此,我们提出对wireloop的形状进行研究,以期得到一个能够提高wire抗外力能力的途径。对于wireloop形状的研究,可以解决:(1)金线neckbroken的改善。(2)BPT数值的升高。(3)抗mold过程中EMC的冲击力加强。(4)搬运过程中抗冲击力的加强。关键词:半导体封装,金线,引线焊接,线型。文档实用AbstractD
3、uringtheprocessofthesemiconductorassembly,weusetheAuwiretoconnecttheperipheralcircuitfromtheIC.(ThediameteroftheAuwireisverysmall.Usually,it’sabout0.8mil~2mil.)AndduringtheAuwirebonding,wecangetdifferentlooptypesfromcontrolthedifferentparameters.Besidesthephysicscharacteristi
4、coftheAuwire,thelooptypescanalsoaffecttherepellenceundertheoutsideforce.Fortheprocessofthewirebond,wehopetherearesomegoodlooptypessothatimprovetherepellenceundertheoutsideforce.Accordingtothis,itcanimprovethegooddeviceratioaftermolding.Itnotonlyreducesthewiresweepingandthewir
5、eopenofAuwiresbutalsoavoidthebondshortcausebythewiresweeping.Therefore,wedothedisquisitionaboutthelooptypeforgettingthewaytoimprovetherepellenceunderoutsideforces.Thisdisquisitioncansolvetheproblemabout:(1)ImprovetheneckbrokenofAuwire.文档实用(1)HeightentheBSTdata.(2)Enhancethere
6、sistforcetoEMCduringthemoldingprocess.(3)Decreasethepossibilityofdevicebrokenwhenitbemoved.Keyword:thesemiconductorassembly,Auwire,wirebond,wireloop.目录文档实用摘要………………………………………………………………………Abstract…………………………………………………………………1绪论……………………………………………………………………1.1本课题研究的意义………………………………………………1
7、.2环境及实验设备简介……………………………………………1.3主要的研究工作…………………………………………………2基础知识介绍………………………………………………………2.1wirebond的介绍及基本原理………………………………2.2wireloop的基本参数………………………………………2.2.1looptype(弧型)……………………………………2.2.2LH(弧高)……………………………………………2.2.3reversedistance(反向线弧长度)……………………2.2.4RDA(反向线弧角度)………………………………2.2.52
8、ndkink(第二弯曲点)………………………………2.2.62ndkinkHTfactor(第二弯曲点高度因素)…………2.6.7spa
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