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《cv法提取sic隐埋沟道mosfet沟道载流子浓度》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第&&卷第C期%$$C年C月物理学报+@>3&&，J@3C，MN5O，%$$C#$$$*(%’$6%$$C6&（&$C）6%’’%*$&;)2;KFL,I);,IJI);!%$$C)P-53KPQR3,@E3"""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""!"#法提取$%!隐埋沟道&’$()*沟道载流子浓度!!郜锦侠张义门汤晓燕张玉明（宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安电子科技大学微电子学院，西安"#$$"#）（%$$&年#%月’日收到；%$$&年#%月#(日收到修改稿）本文对用)*+法提取,-)隐埋沟道
2、./,012沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析345结的存在所造成的埋沟./,结构!*"曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题3,-)6,-/%界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差3本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响，然后对两种沟道深度的埋沟./,结构!*"曲线进行了测试，提取出了沟道掺杂浓度3在测试中，采用不同的扫描速率，分析了界面态对提取结果的影响3理论分析结果和实验测试结果相一致3关键词：)*+法，,-)，隐埋沟道./,012，沟道载流子浓度+,!!："(7$，"(7$8，"9&$:这样就给埋沟./,012沟道载流子浓
3、度的提取带来#D引言了一定的影响3另外，对于,-)来说，,-)6,-/界面上存在着大%与其他宽禁带半导体相比，,-)可以直接热氧密度的界面态，界面态的存在会使!*"曲线发生漂化生成,-/%，从而使得在,-)芯片上研制./,012移，从而影响提取结果的准确性，目前还没有文献讨器件和电路成为可能3但是，7F*,-)./,012的特论这方面的问题3因此，如何去除界面态的影响也性一直受到低的反型层迁移率的限制［#］，这是由表是准确提取沟道掺杂浓度所要解决的问题3［%—7］面粗糙度散射和界面态的影响所造成的3减小界面散射影响的一个比较有效的途径就是使参与导电的载流子远离界面3隐埋沟道（G)）./,01
4、2是在衬底表面注入一层与衬底掺杂类型相反的杂质3当器件表面处于耗尽状态且沟道还没有夹断的时候，在半导体体内就会形成一个隐埋沟道，当漏端加上电位时，电子就会沿沟道从源流向漏3且在流动过程中受界面以及界面态电荷散射较小，使其迁移率维持一较高的值3目前，,-)埋沟器件已经研制成［&，C］功，且得到了较高的迁移率3图#./,结构图（=）常规./,结构，（H）埋沟./,结构杂质在,-)中的扩散速率很小，因此,-)埋沟./,012的沟道通常是用离子注入法形成的3作为器件的重要参数，沟道杂质浓度的提取是一个重要%D理论分析的问题3在以往的研究中常用)*+法提取沟道载流子浓度，并考虑,-)中杂质的不完全离化
5、效应反推图#是常规./,（用IJ+表示）和埋沟./,（用出沟道杂质浓度3但是由于沟道6衬底45结的存G)表示）结构示意图，两者的区别仅仅在于埋沟在，在器件即将夹断的时候!*"曲线会发生畸变，./,结构的5型掺杂区较浅，其深度一般小于半导!国家重点基础研究发展计划（’"(）（批准号：;&$#$(%&$$’#）资助的课题3!1*<=->：?=@?=@A&$&B#C(DE@6、参数条件，在沟道深度为7;4>!?是用数值求解泊松方程的方法得到的两种结构"%#时，就没有一个明显的线性区域，因此，这种情况下$曲线的比较#埋沟&’(结构的参数示于图中：$为不能用（"12<"）%#+曲线斜率来准确提取沟道载流氧化层厚度，#为平带电压，%为注入沟道深度，子浓度#同样，即使注入沟道深度较深，但在沟道掺)*&#+为栅压#实心圆点是隐埋沟道&’(结构的沟道杂浓度较小时也可能会出现上述现象#夹断点；空心方块点是沟道峰值电势开始小于,-结内建电势#时的临界点#当栅压大于该点时，沟道./电势等于#（积累层除外），两条曲线是重合的，*0./&’(结构中的,-结电容不起作用；当栅压小于该临界
7、点时，沟道中峰值电势开始小于,-结内建电势，*0&’(结构的栅电容开始发生畸变，当栅压减小至夹断电压时，沟道被表面耗尽区和,-结耗尽区穿通#图=不同注入沟道深度下的（"$曲线12<"）%#+对于(/0来说，界面态的影响是不可忽略的#!与界面态电荷(的关系可表示如下：#)*/@!’(（/@#(’）’(（/@#(’3#./）#)*3#)*58，（$）"12"12式中，(（/@#(’）和(（/@#(’3#./）分别
