N 沟道增强型功率MOSFET

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1、8205A/8205B/8205CN沟道增强型功率MOSFET1.描述引脚排列共漏极N沟道增强型功率场效应管8205A/8205B/8205C具有快速开关、超低导通电阻和高性价比的特点。8205A/8205B/8205C适用于设计电池保护或低压开关的电路。2.特点ò低导通电阻ò低驱动电流ò低栅极电压2.5VòVBDSB=20VòIDB=6A@VBGSB=4.5VB（顶视）ò8205A：RDS(ON)B<32mBΩ@VGSB=4.5VBò8205B：RBDS(ON)<35mBΩ@VBGSB=4.5Vò8205C：RBDS(ON)<38mBΩ@VGSB=4.5VB3.应用

2、领域ò锂电池充电保护ò电源管理ò便携式设备ò负载开关4.框图OCT.201218205A/8205B/8205C5.订购信息工作温度范围（结温）封装订购型号包装数量8205ATSSOP8Pb-Free8205B100片/管8205C8205ATR-55°C~+150°CTSSOP8Pb-Free8205BTR4000片/卷8205CTR8205AS6SOT23-6Pb-Free8205BS63000片/卷8205CS66.最大额定参数参数符号值单位漏源电压VDSBB20V栅源电压VGSBB±10V漏极电流，VBGS=4.5VB，@TBaB=25°CIBDB6A漏极电流

3、，VBGS=4.5VB，@TBaB=70°CIBDB4.8A漏极脉冲电流（注1）IDMBB20A功耗，@TBaB=25°CPBDB1.5W工作结温TjBB-55~+150°C存储温度TBstgB-55~+150°C功耗随温升的线性降低因数0.008W/°C热阻，结到环境（注2）Rthj-aBB83°C/W注1：脉冲宽度受最大结温限制注2：贴装在1平方英寸铜盘上，板材FR4；当贴装在最小铜盘上，208°C/W7.电气特性（TBjB=25°C，除非另有注明）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压BVDSSBBVGSB=0,IBDB=250µAB202240V漏

4、源漏电流IBDSSBVDSB=20VB,VGSBB=0--1uA栅源漏电流IGSSBBVGSBB=±10V,VBDS=0B--±100nA△BVBDSS参考点25°C击穿电压温度系数-0.03-V/°C/T△BjBIDBB=1mA栅极门限电压VGS(th)BBVBDS=VBGSBB,IBDB=250μA0.50.701.2V28205A/8205B/8205C参数符号测试条件最小值典型值最大值单位VBGSB=4.5V-22268205AIBD=B4.5AVBGSB=2.5V-2632IBD=B3.5AmΩVBGSB=4.5V-2428漏源导通电阻RIBD=B4.5A（

5、注1）BDS(ON)B8205BVBGSB=2.5V-2935IBD=B3.5AVBGSB=4.5V-26308205CIBD=B4.5AmΩVBGSB=2.5V-3238IBD=B3.5A正向跨导gBfsBVDSB=5VB,IDBB=4.5A-10-S栅极总电荷（注1）QgBBIDBB=6A-1015栅源电荷QBgsBVDSB=10VB-2.3-nC栅漏电荷QVBB=4.5VBgdBGS-3-导通延时（注1）TBB-1020d(on)VDSB=10VB上升时间TrBBIDBB=1A-1125ns关断延时TBd(off)BVGSB=4.5VB-3570下降时间TRBB

6、=6ΩBfBG-3060输入电容CBB-600-issVBGSB=0V输出电容CossBBVDSB=8VB-330-pF反向传输电容CBrssBf=1.0MHz-140-正向导通ISBB=1.7A,VBGSB=0V-0.721.2V源漏VSDBB二极电压（注1）TjBB=25°C漏源连续电管ISBB--1.7A流注1：脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%38205A/8205B/8205C8.特性曲线图图1.典型输出特性（TBC=25B℃）图2.典型输出特性（TBC=150B℃）图3.RDS(ON)B阻值与结温的关系B图4.导通电阻与结温的归一化关系图5.反向二极管的正

7、向特性图6.栅极门限电压与结温的关系48205A/8205B/8205C图7.栅极电荷特性图8.典型电容特性图9.最大安全工作区域图10.瞬态热阻图11.开关时间波形图12.栅极电荷波形58205A/8205B/8205C9.封装尺寸TSSOP8尺寸(mm)尺寸(mm)符号符号最小值最大值最小值最大值A-1.20E14.304.50A10.050.15F0.65(典型值)B0.190.30L0.450.75D2.903.10L11.00(典型值)E6.40(典型值)68205A/8205B/8205CSOT23-6尺寸（mm）尺寸（mm）符号符号最小