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时间:2019-02-27
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1、维普资讯http://www.cqvip.com虱聊I强蜀I两阿佰息技术与佰息亿单片机系统中的Flash存储器及其数据管理方法FlashMemo~andItsDataManagingMethodinMCU-BasedSystem王贤勇WANGXian-yongAbstractHardwareinterfaceandsoftwareprogrammingofFlashMemoryinMCU—basedapplications,organizationofmassdataanddatabuferingtec
2、hnologyforimprovingsystemperformancealediscussed.Asanexample,practicalschematicdiagramandrelatedimplementationsareprovidedusingW29C040RashMemoryIC.KeywordsFlashMemoryMCUMemoryextensionDatabufering256字节,如果要改变某一页中的某个数据,则需将整页的数1Hash存储器介绍据都写入芯片,否则,本页的其他数据将在写
3、操作过程中全Flash存储器是近年由Intel率先研制推出的一种新型存部被“0tth”(十六进制)填充。写操作是从将CE脚和WE脚储器,存取速度很快,而且容量相当大。它是在EPROM和置为低电平、OE置为高电平开始的。写操作包括两个周期:EEPROM的制造技术基础上发展起来的一种可擦除、非易失字节载入周期和内部写周期。字节载入周期就是将整个页性存储元件内部数据在不加电的情况下能保持10年之的数据载入芯片的页缓冲区;内部写周期就是将页缓冲区中久,又可快速将信息擦除后重写(可反复擦写几十万次之的数据同时写入
4、存储单元阵列以实现非易失存储。多),而且可以实现分块擦除和重写、按字节擦除和重写,有CE很大的灵活性。兼备非易失性、可靠性、高速度、大容量和擦DQO0E写灵活性使得Flash存储器得到很大欢迎,从微机到单片机,WEDQ7从计算机到消费类电子产品(如MP3播放器等),都有它的应用。在单片机系统中使用Flash存储器,可以有效地将单片AO机系统的灵活性和大容量存储结合起来,用简单的设计完成复杂的任务。A18本文以流行的MCS-51系列单片机和Winbond公司的W29C040为例,介绍接口方法和编程应用以及
5、数据管理方图1W290C40结构框图法。W29C040有512K×8位存储容量,按页组织,每页256字在字节载入周期,地址在CE和WE二者中最迟的一个节。+5V电压就可完成擦除或编程写入操作。写入速度快下降沿锁存,数据在CE和WE二者中最早的一个上升沿锁且功耗低,写一页数据的时间为5ms,写一个字节的典型时间存。如果在典型的字节载入时间(TBLC)之内载入下一个字周期为19.2tts;读取时间根据具体型号分别为70、90、120ns。节,W29C040将会继续处于字节载入周期,其他的数据可以所有的输入输
6、出引脚都和rIL电平兼容,并且提供了数据写依次连续加载。如果没有数据继续载入,则字节载入周期停入的软件保护功能(SoftwareDataProtection)和硬件保护,以防止,开始内部写(擦除/编程)周期。地址线A8一A18为页地止在电源开关或外部干扰时芯片的误写操作。W29C040具址选择线,所有载入页缓冲区内的数据必须处于同一页地有10年的数据保存能力。图1为其结构框图。址,A0一A7是同一页内的各个字节地址线。页内数据的载W29C040的读数据操作由OE和CE两个信号控制。当入顺序可以是任意的。
7、在内部写周期,页缓冲器内的所有数W29C040向外部输出数据时,这两个引脚都必须为低。CE据(256字节)被同时写入存储器阵列。在内部写周期完成之为片选信号,当它为高时,整个芯片处于未选中状态,功耗降前,CPU可以处理其他事务。低。OE为输出允许控制信号,用于向输出引脚上选通数据。2Flash存储器的接口方法当两脚之中任何一脚为高电平时,数据总线呈高阻态。W29C040的写(擦除/编程)操作基于页模式:每页包含一般Flash存储器都有较多的地址线,像W29C0dO有19条,而MCS-51单片机只能提供1
8、6位的地址信号。可以用*聊城大学计算机学院聊城252059P1、P3中闲置的引脚作为高位地址,但是如果外设较多,则资维普资讯http://www.cqvip.com僵患技术与佰息佑母硒啊I弱曷帚圃暖源紧张,无法实现。一种有效的方法是:将高位地址从数据aptr.#4000h总线送出,安排锁存器先行锁存,要对Hash存储器进行读写a,flash—ptr—h时,将锁存器中的地址一并输出,实现地址信号的“分时输@dp廿,a;锁存高3位地址出、同时有
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