半导体异质结构中电子隧穿寿命的研究

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1、万方数据学校代码：!Q!至鱼分类号：——论文题目学号：圣!!垒鱼Q2Q编号：——半导体异质结构中电子隧穿寿命的研究学院：堑堡型堂皇蕉查堂陵专业：堑堡堂研究方向：超塞查堡迨姓名：昌萱萱指导勃r师：宣筮塾撞2014年10月10日万方数据原创性声明fY删舢2㈣72舢9删舢4棚2继9舢本人声明：所呈交的学位论文是本人在导师的指导下进行的研究工作及取得的研究成果。除本文己经注明引用的内容外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得内墓直太堂及其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文

2、中作了明确的说明并表示谢意。学位论文作者签名：盟日期：——⋯艴名：盗在学期间研究成果使用承诺书．本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，即：内蒙古大学有权将学位论文的全部内容或部分保留并向国家有关机构、部门送交学位论文的复印件和磁盘，允许编入有关数据库进行检索，也可以采用影印、缩印或其他复制手段保存、汇编学位论文。为保护学院和导师的知识产权，作者在学期间取得的研究成果属于内蒙古大学。作者今后使用涉及在学期间主要研究内容或研究成果，须征得内蒙古大学就读期间导师的同意；若用于发表论文，版权单位必须署名为内蒙古大学方可投稿或公开发

3、表。一一，栉学位论文作者签名：鱼垒尘指导教师签名：日期：——日期：万方数据内蒙古大学硕士毕业论文半导体异质结构中电子隧穿寿命的研究摘要本文在有效质量近似下，选取双量子阱异质结构GaAs／A10．3Gao．7As作为电子隧穿输运的结构，利用投影格林函数方法(PGF)和递归法，研究了电子从一个阱中逃逸问题．此外，这种方法还被用来研究当计入k3Dresselhaus自旋轨道耦合效应后，电子自旋极化隧穿问题．首先，结合PGF和递归法求解薛定谔方程，以GaAs／A10．3Gao．7As作为量子阱结构计算和分析了电子逃逸时间，研究了结构参数对隧穿寿命的

4、影响．结果表明，隧穿寿命随第一个势垒厚度的变化迅速增加．而第二个势垒厚度的变化对电子的隧穿寿命影响很小；势阱宽度的变化对电子隧穿寿命的影响是相反的．另外，在计入k3Dresselhaus白旋轨道耦合效应后，还研究了非对称双量子阱异质结构GaAs／AIo．3Gao．7As中，不同自旋取向电子的隧穿寿命和电子的白旋极化率．研究表明，当计入k3Dresselhaus自旋轨道耦合后，自旋向上电子对应的洛伦兹峰值位置向高能区域移动，而自旋向下电子对应的洛伦兹峰值位置向低能区域移动，不考虑自旋时的隧穿寿命介于二者之间．同时，电子的隧穿寿命发生了白旋劈裂

5、，且自旋向下电子的隧穿寿命大于自旋向上电子的隧穿寿命．电子的自旋极化率受阱宽和垒厚的影响．电子自旋极化率随阱宽的变化出现了不同情况的振荡；随势垒厚度厚度的变化出现很大程度上的变化．关键词：隧穿寿命；外加偏压；Dresselhaus自旋轨道耦合；自旋极化率万方数据内蒙古大学硕士毕业论文LIFETIMEOFELECTRONTUNNELINGTHROUGHSEMICONDUCTORHEREOSTRUCTUREABSTRACTInthispaper，theescapeofelectronfromaquantunawellisinvestigated

6、byusingthearojectionGreen’SFunctionmethod(PGF)andrecursivemethodundertheeffectivemassapproximation．Furthermore，thismethodhasbeendevelopedtostudytheproblemofspin-polarizedelectrontunnelingwithtakingaccountofthek3Dresselhausspinorbitcouplingeffect．Thelifetimeandspinpolarizat

7、ionefficiencyhavebeendiscussedindetailed．Firstly，thecombinationofPGFandrecursivemethodwasusedtosolvetheshrodingerequation．TheescapetimefromGaAs／AIo．3Gao．7Asmultiplequantumwellstructurehasbeencalculatedandanalyzed．Wehaveinvestigatedtheeffectofthestructureparametersontunneli

8、ngescapetime．Theresultsshowthatthetunnelinglifetimewouldincreaserapidlywithchangingofthef