半导体异质结构

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1、第九章半导体异质结构9.1半导体异质结及其能带图9.1半导体异质结及其能带图1半导体异质结两种不同半导体材料接触形成的结反型异质结：由导电类型相反的两种不同的半导体单晶材料所形成的异质结如p-Ge和n-GaAs记为p-nGe-GaAs如p-nGe-Si,n-pGe-GaAs同型异质结：导电类型相同的两种半导体材料所形成的异质结如n-nGe-Si,p-pGe-GaAs,p-pSi-GaP一般把禁带宽度较小的半导体材料写在前面。2.理想异质结的能带图形成突变pn异质结之前的平衡能带图9.1半导体异质结及其能

2、带图9.1半导体异质结及其能带图窄带隙材料和宽带隙材料在接触前的能带图形成突变pn异质结之后的平衡能带图由于p区和n区的电子亲和势和禁带宽度不同，使异质结在界面处的能带突变，EC和EV的出现将阻碍载流子通过界面，这种对载流子的限制作用是同质结中所没有的。p-nGe-GaAs异质结的平衡能带图9.1半导体异质结及其能带图热平衡状态下的一个典型的np异质结能带图9.1半导体异质结及其能带图Nn异质结在热平衡状态下的理想能带图9.1半导体异质结及其能带图n-AlGaAs,n-GaAs异质结的导带边缘图本章

3、小结一重要术语解释1．异质结：两种不同的半导体材料接触形成的结。2．反型异质结：由导电类型相反的两种不同的半导体单晶材料所形成的异质结。如：p(Ge)-n(GaAs);p(Ge)-n(Si)等。3．同型异质结：由导电类型相同的两种不同的半导体单晶材料所形成的异质结。如：n(Ge)-n(GaAs);p(Ge)-p(Si)等。二知识点学完本章后，读者应具备如下能力：1．会画理想突变反型异质结的能带图2．会画理想突变同型异质结的能带图本章小结三复习题什么是异质结？本章小结