论文固相法制备压敏电阻

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1、华中科技大学电子科学与技术系电子器件制备工艺课程设计（论文）固相法制备压敏电阻(ZnO)班级:电子1307学号:U姓名:仲世豪专业:电子科学与技术指导老师:邱亚琴二零一五年-2-电子器件制备工艺课程设计（论文）摘要本文以金属离子盐为原料,采用400r/min转速球磨机球磨成掺杂ZnO前驱物,将其在700℃下预烧2小时,得到掺杂ZnO粉体,并用此粉体制备了片式ZnO压敏电阻。借助压敏电阻特性测量仪对片式压敏电阻的正、反向压敏电压，正、反向非线性系数，正、反向漏电流等进行了测量。研究了不同掺杂浓度对ZnO压敏电阻电性能

2、的影响。结果表明,金属掺杂在百分之零点八时，ZnO压敏的电阻的各项性能达到最佳。关键词：掺杂ZnO粉体；烧结温度；压敏电阻AbstractInthispaper,byusingmetalionsaltsasrawmaterials,whichwasmilledat400r/minspeed,dopingintoZnOprecursor,thencalcinedfor2hoursat700℃,togetdopedZnOpowder.AndthepowderwasatlastusedtoproducechipZnOva

3、ristors.Withthevaristorcharacteristicmeasurementinstrument,thepositiveandnegativevaristorvoltage,positiveandnegativenon-linearcoefficient,forwardandreverseleakagecurrentweremeasured.WestudiedtheeffectofdopedZnOpowderontheelectricalpropertiesofZnOvaristors.Ther

4、esultsshowedthatwhenthedopingcontentis0.8％,thepropertiesofZnOvaristorcanbethebest.Keywords: doped ZnO powder; sintering temperature; varistor电子器件制备工艺课程设计（论文）目录摘要2ABSTRACT2第1章绪论4-81.1概述及发展现状4-51.2理论依据及本论文的主要方法5-8第2章实验部分8-92.1实验工艺与过程8-92.1.1称量82.1.2球磨、烘干过筛、预烧82.

5、1.3球磨、烘干、粉碎造粒92.1.4压片、烧结92.1.5涂电极、烧电极、测试9第3章结果与讨论10-153.1实验数据记录与处理10-15第4章建议与体会15-16参考文献17电子器件制备工艺课程设计（论文）第1章绪论1.1概述及发展现状自1968年日本松下电器公司首先研制成功氧化锌压敏陶瓷以来，由于它具有优异的非线性电压──电流特性和吸收能量（浪涌）的能力，人们从制备工艺、基础理论、应用开发等方面进行了大量研究，经过近三十年的研究与开发，在电子线路和电力系统的过电压保护中得到广泛的应用。ＺｎＯ压敏电阻１９７２

6、年应用于电子线路的过电压吸收，１９７４年开始用于电力系统的高压方面，后又用作避雷器、高能过电压吸收（１９７７）、大电流过电压吸收（１９７９）。１９７５年以前，ＺｎＯ压敏电阻主要用在高压方面，１９７５年开始在低压方面获得应用，如汽车电子线路以及ｌｃ保护。在新的要求下，向低压化、高能化、大型化等自控装置发展。实际应用的要求刺激ＺｎＯ压敏电阻性能不断提高和改善，使之能够不断吸收各种类型的非正常电压。我国压敏电阻器始于１９７６年，已有近３０年的发展历史，其规模性生产是近几年才有所发展的，产品的性能和产量已基本能满足国内自身

7、的需要，但与国际同行业相比仍存在一定的差距，如日本松下、德国西门子、美国Ｈａｒｒｉｓ、日本北陆等公司的年产量都超过亿只，市场上的后起之秀是中国的台湾，总产量达１００Ｍ／月，而国内产量上亿只的生产厂家很少，只有一两家。另外设备普遍老化，自动化程度低，个别厂家近乎手工作坊，产品档次低，质量差，无法与世界同行业产品展开竞争。技术创新势在必行，主要围绕以下３个方面：一是紧跟市场发展潮流，不断开发具有市场潜力的适销对路的高科技新产品；二是依据自身技术创新的能力和优势，积极部署前沿性技术的研究，密切关注市场需求，瞄准国际电子技

8、术发展的趋势，努力做到研究开发的新技术、新产品适度超前；三是开展与先进国家和地区的产、销、研合作，迅速扩大产量，缩短与国外的差距。当前，ＺｎＯ压敏电阻材料主要有以下几个发展方向：（１）陶瓷粉体制备技术的研究。粉体是构成陶瓷的起点，尤其是像ＺｎＯ压敏电阻这样的高新技术陶瓷，对粉体的特征（如纯度、形貌、粒度分布）比较敏感。因此，为了制备性能更优的材料，有必要通过