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时间:2019-02-14
《氮化碳微观结构及团簇沉积的分子动力学模拟》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、江苏大学硕士学位论文摘要13.C3N4是首先在理论上预测的,结构类似于B.Si3N4,硬度有可能超过金刚石的一种非天然共价化合物。在原子、分子尺度上研究其微观结构变化及团簇沉积CNx薄膜的动力学过程对探讨薄膜生长的物理机制,改进薄膜质量是至关重要的。本论文对晶态、液态和非晶态C3N4的微观结构进行了分子动力学模拟。模拟结果显示:在C3N4晶体中,C和N原子的配位数分别为3.92和3.07,C为四面体配位;液态C3N4中,C和N原子的配位数分别为3.61和2.52,键角和键长的分布范围明显变宽,结构处于无序状态;非晶C3N4的结构中
2、C—N键的键角和键长分布与晶态C3N4基本一致,说明构成非晶C3N4与晶态C3N4的结构基元相同。非晶C3N4中C和N的配位数分别为3.46和2.26,比C3N4晶体下降,表明结构中石墨型构型增加。计算得到13.C3N4的体弹性模量为436.1GPa,与Liu采用可变晶格模型分子动力学ⅣCS.MD)从头计算法计算得到的体弹性模量437GPa基本一致。用分子动力学方法和第一性原理方法模拟了单个C、N原子以及C2、N2、CN团簇在硬质合金表面的沉积过程,为小原子团簇与表面的作用搭建了两种不同的吸附模型,即物理吸附模型和化学吸附模型,基
3、体温度分别取为298K、500K和700K。模拟中,计算了不同基体温度下团簇与表面的相互作用能,并对团簇在衬底表面的吸附结构、吸附能以及成键情况进行了讨论;还研究了原子(团簇)在Si(100)表面和高速钢表面的吸附机理,以探讨不同衬底材料对CN。薄膜生长的影响。模拟结果显示:C、N原子与三种晶面都成化学吸附,但C、N在高速钢表面的吸附最稳定,硬质合金表面对N原子的选择性吸附要明显强于C原子,这对硬质合金表面的氮化和提高薄膜中氮的含量极为有利:WC(100)表面由于C2的吸附具有金属性,CN吸附在WC000)表面上时在W和CN之间存
4、在比较强的离子键。在硬质合金、单晶硅和高速钢表面,模拟出了对生长CNx薄膜有利的衬底温度分别为500K、700K和298K。关键词:C3N4,计算机模拟,分子动力学,团簇,薄膜,态密度江苏大学硕士学位论文ABSTRACT13。phasecarbonnitrideisaartificialcovalencecompound.LiuandCohenindicatedthatitsmicrostructureissimilar、析t1113·phasesiliconnitrideanditshardnessmayexceedindiam
5、ond.Todiscussphysicalmechanismofthinfilmgrowthandimprovethethinfilmquality,itiscrucialtostudythe13-phasecarbonnitride’Smicrostructuresanddynamicsofcarbonnitridethinfilms.DiscovermoddeinMaterialsStudiohasbeenappliedtostudymicrostructuresofcrystal.1iquidandamorphousphas
6、esofcarbonnitride.ThesimulatedresultsindicatethatthecoordinationnumberofCinthestructureofC3N4is3.92andthatofNis3.07.ThecoordinationpolyhedronofCistetrahedron.IntheliquidstateofC3N4,thecoordinationnumberofCandNis3.61and2.52respectively.Thedistributionofbondangleandbond
7、lengthwidensremarkablyandthestructureisdisorderedforliquidC3N4.乃edistributionofbondangleandbondlengthinamorphousphaseC3;N4issimilartothatincrystalC3N4.ItindicatesthatthecoordinationpolyhedronincrystalC3IN4issameasthatinamorphousphaseC3N4.ThecoordinationnumberofCandNin
8、amorphousphaseC3N4is3.46and2.26respectively,whichislessthanthatincrystalstructure.ThedepositioncoursesofC,NatomandC2,N2,CNcl
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