sic高温电学特性研究

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1、摘要目前半导体材料主要以si和Qub为主，由于它们在高温条件下一些性能不佳，使得以siC为代表的第三代半导体材料得到了广泛的关注，sic材料较高的击穿电压和热导率使器件功率承受能力大大提高，在高温大功率领域具有广阔的应用前景。本论文采用PⅥ法掺钒得到的两块尺寸为lcm×l锄正方形半绝缘6H．siC单晶片l拌siC和2#SiC，利用范德堡结构进行高温霍尔测试，获得了该类SiC单晶材料电学参数的温度特性关系。实验结果表明，在室温以上，随着温度逐渐升高，掺钒半绝缘siC单晶材料的迁移率和载流子浓度逐渐增大，在575K和650K时发生受主杂质补偿，出现两次波动，且迁移率随补偿度加大而降低。同时电

2、阻率随温度升高逐渐降低，到达500K之后，掺杂半绝缘siC单晶材料已经不能满足高温器件之绝缘衬底的需要。关键词：siC单晶：欧姆接触；电阻率；迁移率；自由载流子浓度AbsI础AbstractAtprescnt，也emaillly∞micondllctormaterialsareSi锄dGaAs．Asmeyh孙，cs咄perfom瑚啪deficienciesunderbigIl-钯ml髓an鹏cond“ions，itmakesSiCbemerepresemativeofthethirdemofscmicondIlc_盼蛐疵rials，柚dhavea、】vide删ngeofcmlc锄s．Hi

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