半绝缘sic单晶材料的电学参数测试研究

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1、摘要摘要本文介绍了半绝缘半导体SiC材料的一些性质，对SiC材料的制备方法进行了一些简单的介绍。重点研究了其电学参数的测试方法：霍尔测试法和COREMA测试法。传统的霍尔测试法主要是利用范得堡结构进行高温测试，通过测试获得了SiC单晶材料电学参数和温度特性的一些关系。COREMA即非接触电阻率面分布测试法，已经被广泛应用于半绝缘半导体测试中，主要用于高阻测量，具有操作快速、无破坏性，测量时无需样品处理、制备，测量晶片尺寸可达200mm，具有高分辨率图示，适用于晶圆生产和工艺开发等优点。通过对COR

2、EMA测试法用途及原理的介绍，并用COREMA测试法对电阻率、电子迁移率、电阻率和温度的关系进行了测试研究。通过比较，可以很清楚的知道此方法在成本、速度、无损伤、可重复性及横向分辨率方法都优于传统方法。关键词：SiC半绝缘电阻率测试COREMA——————————————————型迎!AbstractInthispaper,werevealsomecharactersofthesemi．insulatingsiliconcarbide(SI-sic)，andgiveabriefintroducti

3、onofthemanufactureprocessingofSiC．Thetestandmeasuringmethodoftheelectricalproperties，theHallmethodandtheCOREMAmethod，areemphaticallystudied．TheconventionalHallmethodistomakehightempareturetestingbythestructI玳ofvan·de卜Pauwmethod，andobtaintherelationshi

4、pbetweentheseelectricalpropertiesandthetempareture．Thecontactlessresistivitymapping(COREMA)iswidelyusedinthetestingofsemi-insulatingsemiconductor,especiallythetestingofhighresistivitymaterials．IthasalladVantageofeasyandnondestructiveoperating，andavoid

5、sthepreparationofsample·Thediameterofthewaferthatbeingtestedcanreach200mm．TheCOREMAhashighresolution，anditisespeciallyapplicabletothefabricationandtheexplorationofprocessing．Wemakeanintroductionofthistheoryanditsuse．埘tlltIlismetllodwemakeastudyofthere

6、sistivity,carriermobility,andtheralationshipbetweenresistivityandtempareture·Bycomparsion，weknowthatthismethodhasalladvantageof10wcost，highspeed，nondestructive，highrepeatabilityandlateralresolutionovertIleconventionalmethod．．Keyword：SiCsemi·insulating

7、resistivitymeasurementCOREMA西安电子科技大学学位论文独创性声明秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中做了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切的法律

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