叠层tsop封装开发

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1、论文独创性声明本论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。论文中除了特j；!j加以标注和致谢的地方外，不包含其他人或其它机构已经发表或撰写过的研究成果。其他同志对本研究的启发和所做的贡献均已在论文中作了明确的声明并表示了谢意。作者签名论文使用授权声明日期：宣一7，tp本人完全了解复旦大学有关保留、使用学位沧文的规定，即：学校有权保留送交论文的复印件，允许论文被查阅和借阅；学校可以公布论文的全部或部分内容，可阻采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。保密的论文在解密后遵守此规定。储躲也聊虢礁盘慨幽：丝：梦摘要便携式电子设备，如移动电话，移动个人计算机，数码

2、相机，数码摄像机，便携数码音乐播放机，掌上游戏机等的同益普及和产品的功能款式等的不断推陈出新．已经成为系统封装技术发展的主要的驱动力。通过封装来实现系统集成的SiP(System．in．Package)是目盼封装技术丌发和应用的热点，三维(3D)叠层封装作为实现系统封装的一种重要形式J下得到越来越广泛的应用，特别是在存储器件应用中，通过叠层来集成不同种类的存储器来实现一定的系统功能，或者通过叠层同一存储器来实现存储密度的倍增。将叠层封装技术引入到传统的，主要用于动态随机存储器，快闪存储器等存储器件封装的TSOP(ThinSmallOutlinePackage)封装中

3、，可大大提高存储密度，适应嵌入式应用市场的要求。本文介绍了三种用于闪存器件的封装厚度为1mm的叠层TSOP(StakedDieThinSmallOutlinePackageorSD．TSOP)的工艺开发工作。包括使用非导电胶体状粘接胶水(DieAttachPaste)的2个NOR闪存晶片和1个SiliconSpacer的2+1结构的叠层TSOP封装；使用高分子干膜晶片粘接材料(DieAttachFilm)的4个NAND洲存晶片错位堆叠的Chip．on．Lead的叠层TSOP封装：使用键合线嵌入式高分子干膜晶片粘接材料(Film—Over-WireDieAttachF

4、ilm)的4个NANDl’^】存晶片垂直准叠的叠层TSOP封装。在进行2个NOR闪存晶片2+1叠层方式的TSOP封装的开发工作中，通过对铜合会引线框架表面进行棕氧化处理来增强框架与粘接材料间粘附性，以及选择合适的粘接胶水，从而消除了经老化处理后，非导电晶片粘接胶水材料和铜合金引线框架的晶片衬挚(DiePaddle)之间的界面分层现象，解决了这种封装形式的可靠性问题。使用高分子干膜晶片粘接材料和Chip．on-Lead(COL)铁镍(Alloy42)引线框架的4个NAND闪存晶片错位叠层的TSOP封装的丌发工作中，通过大量实验分析，决定采用Tape—on．BoRomC

5、oL引线框架，以解决Tape—On—TopCoL引线框架出现的胶带的胶黏剂层和模注树脂以及引线框架之间的界面分层问题。此外，还详细介绍了干膜晶片粘贴工艺的丌发工作，从材料性能和工艺性能两个方面对高分予干膜晶片粘接材料进行了精选，总结了高分子干膜晶片粘接材料应用中所出现的各种问题以及相应的解决方法，如：晶圆切割产生的切割须，晶片粘贴时晶片的Pick—up问题，以及晶片粘接材料气孑L等。使用键合线嵌入式高分子干膜晶片粘接材料进行4个NAND闪存晶片垂直叠层的TSOP封装的丌发工作。对封装的设计。键合线嵌入式高分子干膜晶片粘接材料的应用丌发中出现的铜互连晶片老化失效问题以

6、及对引线键合工艺中出现的问题和解决方法作了归纳和阐述。本文总结了工作成果，对解决遗留问题和进一步研究的方向提出了一些建议。关键词：芯片封装，TSOP，叠层封装，分层，棕氧化．Chip—oil-Lead，引线框架高分子干膜，引线键合，晶片粘贴，传递模注塑，．2一复q人学坝卜论文t叠层TSOP封装开发》AbstractHand—heldelectronicdevicessuchasmobilephone，digitalcamera,digitalcamcorder，MP3，personalmultimediaplayeretc．arebecomingthemajordr

7、iverfortheSiP(System·in—Package)．StackeddiepackagingasoneofthemajorapproachtoachieveSiPisgettingboomingespeciallyinthememorypackaging．ThesystemfunctioncanberealizedbyintegratingdifferenttypesofmemorychipsthroughstackingormemorydensitycanbegreatlyincreasedbystackingsalTlememorychipsin