notch信号通路在新生鼠高氧暴露致少突胶质细胞成熟障碍中的作用

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1、10.16016/j.1000-5404.201412058Notch信号通路在新生鼠高氧暴露致少突胶质细胞成熟障碍中的作用刘光建，郭冉，杜敏，刘杨，刘剑霞，徐颖(400014重庆，重庆医科大学附属儿童医院麻醉科，儿童发育疾病研究省部共建教育部重点实验室，儿科学重庆市重点实验室)[摘要]目的探讨Notch信号通路在新生鼠高氧暴露致少突胶质细胞成熟障碍中的作用。方法取C57BL/10J新生3d（P3）小鼠64只，分为空气对照组（C）、空气+DAPT组（C＋DAPT）、高氧组（H）、DAPT预处理高氧暴露组（H

2、+DAPT）；H组予以高氧暴露48h，H+DAPT组采用Notch信号特异抑制剂DAPT（10mg/kg）腹腔注射1h后高氧暴露48h。生后5d（P5）断头取脑。Real-timePCR检测Notch1、Jagged1、Hes1及Hes5表达变化。生后12d（P12）取脑，HE染色观察脑白质形态学变化；免疫荧光化学染色检测成熟少突胶质细胞（OL）表达；Westernblot定量检测MBP蛋白的表达量。结果与C组比较，H组小鼠脑组织明显水肿，Notch1、Jagged1、Hes1及Hes5mRNA的表达均增高

3、（P<0.05）；与H组比较，H+DAPT组Notch1、Jagged1mRNA表达明显增强（P<0.05），Hes1及Hes5mRNA表达显著降低（P<0.05）；免疫荧光和Westernblot结果均显示H组MBP表达低于C组（P<0.05）；而与H组比较，H+DAPT组MBP表达显著增多（P<0.05）。结论Notch信号通路参与了高氧暴露致新生鼠脑白质损伤过程，其机制可能与影响少突胶质细胞的成熟有关。[关键词]高氧；DAPT；脑损伤；Notch信号通路；少突胶质细胞成熟[基金项目]国家临床重点专科建

4、设项目(2013544)[通信作者]徐颖，E-mail:xuyingxy3066@126.comEffectsofNotchsignalingpathwayonhyperoxia-inducedoligodendrocytematurationdisordersinneonatalmouseLiuGuangjian,GuoRan,DuMing,LiuYang,LiuJianxia,XuYing(DepartmentofAnesthesiology;KeyLaboratoryofDevelopmentalDi

5、seasesinChildhoodChongqingandMinistryofEducation，Children'sHospital，Chongqing，400014，China)[Abstract]ObjectiveToinvestigatetheeffectsofNotchsignalingpathwayonhyperoxia-inducedoligodendrocytesmaturationdisordersinneonatalmousebraintissue.MethodsSixty-fourC5

6、7BL/10Jneonatalmousesarerandomlydividedintocontrolgroup,control+DAPT(10mg/kg)group,hyperoxiagroup(hyperoxiaexposure48h),hyperoxia+DAPTgroup(hyperoxiaexposure48hafter10mg/kgDAPTtreatment).Allneonatalmouseswerekilledandbrainwasremovedtothefollowingobservatio

7、nanddetection:atP5,themRNAexpressionvariationofNotch1,Jagged1，Hes1andHes5byReal-timePCRmethods；atP12,oligodendrocytes(OL)wereidentifiedbyimmunofluorescencestaining;Myelinbasicprotein(MBP)proteinexpressionwasdetectedbywesternblotassay.ResultsHyperoxiagroups

8、howedbraininjurycharacterizedbyinhibitionofbraindevelopment.Thereweresignificantdifferencesinm-RNAexpressionofNotch1andJagged1betweenhyperoxia+DAPTgroupandhyperoxiagroup(P<0.05),andthemRNAexpressionofHes1andH