半导体专业术语

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1、专业术语1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)2.acceptor:受主，女口B,掺入Si中需要接受电子3.ACCESS：—个EDA(EngineeringDataAnalysis)系统4.Acid：酸5.Activedevice:有源器件，如MOSFET(非线性，可以对信号放大〉6.Alignmark(key):对位标记7.Alloy:合金8.Aluminum：铝9.Ammonia:氨水10.Ammoniumfluoride：NH4F11・Ammoniumhydroxide:NH4OH12.Amorphoussilicon：a-Si,

2、非晶硅f不是多晶硅〉13.Analog：模拟的14.Angstrom：A(lE-lOm)埃15.Anisotropic：各向异性(如POLYETCH)16.AQL(AcceptanceQualityLevel):接受质量标准在一定采样下'可以95%置信度通过质量标准(不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率》12.ARC(Antireflectivecoating):抗反射层《用于METAL等层的光刻〉13.Antimony(Sb)^14.Argon(Ar)M15.Arsenic(As)神16.Arsenictrioxide(As203)三氧化二碑17.Arsine(AsH3)18.Ash

3、er：去胶机19.Aspectration:形貌比(ETCH中的深度、宽度比》20.Autodoping：自搀杂《外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层〉21.Backend：后段(CONTACT以后、PCM测试前〉22.Baseline：标准流程2&Benchmark：基准29.Bipolar：双极30.Boat：扩散用(石英〉舟31.CD：(CriticalDimension)临界(关键》尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLYCD为多晶条宽。32.Characterwindow：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。33.Chemical-m

4、echanicalpolish(CMP):化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。34.Chemicalvapordeposition(CVD):化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。33.Chip：碎片或芯片。34.CIM：computer-integratedmanufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。35.Circuitdesign:电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。36.Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。向P型半导体掺入施主杂质37.Compensationdopi

5、ng：补偿掺杂。或向N型掺入受主杂质。38.CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。39.Computer-aideddesign(CAD):计算机辅助设计。40.Conductivitytype：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。41.Contact：孔。在工艺中通常指孔1,即连接铝和硅的孔。42.Controlchart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。33.Correlation:相关性。34.Cp：

6、工艺能力，详见processcapabilityo35.Cpk：工艺能力指数，详见processcapabilityindexo48.Cycletime:片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。49.Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。50.Defectdensity：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。51.Depletionimplant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。(耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。〉52.Depletionlayer：耗尽层。可动载流子密度远低

7、于施主和受主的定电荷密度的区域。53.Depletionwidth:耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。54.Deposition:淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。55.Depthoffocus(DOF):焦深。56.designofexperiments(DOE):为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验