半导体制造专业术语

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1、半导体制造专业术语1ActiveArea主动区(工作区)主动晶体ACTIVETRANSISTOR)被制造的区域即所谓的主动

2、x(ACTIVEAREA)。在标准ZMOS制造过程中ACTIVEAREA是山一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻Z后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化Z步骤，所以ACTIVEAREA会受到鸟嘴(BIRD'SBEAK)Z影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言,大概会有0.5UM之BIRD'SBEAK存在，也就是说ACTIVEAREA比原在Z氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。2ACTONE1.是冇机溶剂的

3、-•种，分子式为CH3COCH3。2.性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。3.在FAB内之川途，主要在于黄光室内正光阻之晴洗、擦拭。4.对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜貝•轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。5.允许浓度1000PPM3ADI显影后检查1.定义：AfterDevelopingInspection之缩写2.H的：检査黃光室制程；光阻覆盖-对准一曝光一显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。3.方法：利用目检、显微镜为Z。4AEI

4、蚀刻后检查1.定义：AEI即AfterEtchingInspection,在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分別对产品实施全检或抽样检查。2.H的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。2-2达到品质的一致性和制程Z重复性。23显示制程能力Z指针2・4阻止界常扩大，节省成本3.通常AEI检査出來Z不良品，非必耍时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度増加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。5AlRSHOWER空气洗尘室进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。6

5、ALIGNMENT对准1.定义：利用芯片上的对准键，一般用十字键和光罩上的对准键合对为Z。2H的：在IC的制造过程中，必须经过6~10次左右的对准、曝光來定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。3.方法：A人眼对准B.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。7ALLOWSINTER熔合Alloy之目的在使铝与硅基(SliconSubstrate)之接触有Ohmic特性，即电压与电流成线性关系。Alloy也可降低接触的阻值。8AL/SI铝/硅靶此为金属溅镀时所使用的--种金属合金材料利用Ar游离的离子，让其撞击此靶的表血，把Al/Si的原子播击出來，

6、而镀在芯片表血上，-•般使用Z组成为Al/S(1%),将此当作组件与外界导线连接。9AUSI/CU铝/硅/铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET,其成分为0.5%铜，1%硅及98.5%铝，一般制程通常是使用99%铝1%硅，后來为了金属电荷迁移现彖(ELECTROMIGRATION)故渗加0.5%铜，以降低金属电荷迁移。10ALUMINUN铝此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar游离的离子，让其撞击此种材料做成的靶表而，把AI的原子撞击出来，而镀在芯片表而上，将此当作组件与外界导线Z连接。11ANGLELAPPING角度研烧AngleLappin

7、g的目的是为了测量Junction的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称ZAngleLapping。公式为Xj=A/2NF即Junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数Z乘积。但渐渐的随着VLSI组件的缩小，准确度及精密度都无法因应。如SRP(SpreadingResistancePrqbing)也是应用AngleLapping的方法作前处理，采用的方法是以农血和入浓度与阻值的对应关系求出Junction的深度，精确度远超过入射光T•涉法。12ANGSTRON埃是一个长度单位，其大小为1公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度之五十力分之一。此

8、单位常用于IC制程上，表示其层(如SiO2,Poly,SN..J厚度时用。13APCVD（ATMOSPRESSURE）常压化学气和沉积APCVD为Atmosphere（人气），Pressure（压力）,Chemical（化学）,Vapor（气相）及D即osition（沉积）的缩写,也就是说，反应气体（如SiH4（g）,B2H6（g）,和02（g））在常压下起化学反应而生成一层周态的生成物（如BPSG）于芯片上。14AS75砕自然界元素乙一；由33个质子，42个屮子即75个电子所组成。半导体工业用的碑离子（As+）可由AsH3气体分解得到。础是N-TYPEDOPAN

9、T用作N■