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时间:2018-12-30
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1、为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划采用哪些介质材料制备钝化层?其优缺点? 1芯片及系統设计制作流程:构想,设计,作制,测试,定型品4IC制造过程:A 硅锭硅片形成带芯片的硅片切成芯片,封装,成品测试5IC制造过程: 7集成电路制造工艺:1、图形转换:将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上2、掺杂:根据设计的需要,将各种杂质掺杂在需要的位置上,形成晶体管、接触等3、制膜:制作各种材料的薄膜8图形转换:光刻 一、光刻的定义:光刻是一种图形复印和
2、化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。 二、光刻的目的:光刻的目的就是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形,从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。 9光刻三要素:光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶:受到特定波长光线作用后,导致其化学结构发生变化,?可以对化合物半导体进行掺杂 25:退火:也叫热处理,集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停
3、车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划 ?激活杂质:使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置,以便具有电活性,产生自由载流子,起到杂质的作用?消除损伤 ?退火方式: ?炉退火 ?快速退火:脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等) 26氧化:制备SiO2层 ?SiO2的性质及其作用 ?SiO2是一种十分理想的电绝缘材料,它的化学性质非常稳定,室温下它只与氢氟酸发生化学反应 27氧化硅层的主要作用 使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性发生改变
4、。正胶:分辨率高,在超大规模集成电路工艺中,一般只采用正胶。曝光前不可溶,曝光后可溶 负胶:分辨率差,适于加工线宽大于3微米的线条。曝光前可溶,曝光后不可溶 11几种常见的光刻方法: ?接触式光刻:分辨率较高,但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划 ?接近式曝光:在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10~2
5、5?m),可以大大减小掩膜版的损伤,分辨率较低?投影式曝光:利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法,目前用的最多的曝光方式 13超细线条光刻技术 深远紫外线(EUV),子束光刻,X射线,离子束光刻 14刻蚀技术:湿法刻蚀:利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法 ?干法刻蚀:主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的 15湿法腐蚀:1湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用:磨片、抛光、清洗、腐蚀2优点是选择性好、
6、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低3缺点是钻蚀严重、对图形的控制性较差16干法刻蚀: ?溅射与离子束铣蚀:通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀,各向异性性好,但选择性较差 ?等离子刻蚀(PlasmaEtching):利用放电产生的游离基与材料发生化学反应,形成挥发物,实现刻蚀。选择性好、对衬底损伤较小,但各向异性较差目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人
7、素质的培训计划 ?反应离子刻蚀(ReactiveIonEtching,简称为RIE):通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点,同时兼有各向异性和选择性好的优点。目前,RIE已成为VLSI工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术 17光刻过程如下:1.涂光刻胶2.掩膜对准3.曝光4.显影5.刻蚀:采用干法刻蚀6.去胶:化学方法及干法去胶(1)丙酮中,然后用无水乙醇(2)发烟硝酸(3)等离子体的干法刻蚀技术18杂质掺杂 ?掺杂:将需要的杂质掺入特定的半导体区域中,以达到改变半导体电学性质,形成PN结、电阻、
8、欧姆接触?磷(P)、砷(As)——N型硅?硼(B)——P型硅 ?掺杂工艺:扩散、离子注入 19扩散:Ⅲ、Ⅴ族元素 ?一般要在很高的
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