薄膜光电材料的特点

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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划薄膜光电材料的特点　　第一章：薄膜种类及特性　　一、PP　　1、BOPP　　特性如下：　　1)BOPP薄膜无色、无嗅、无味、无毒、卫生性能好、密度在/cm2。　　2)BOPP薄膜刚性好，具有强韧性、透明度和光泽性。　　3)BOPP薄膜拉伸强度高、抗冲击强度好、但抗撕裂强度低。因此，两端不能留任　　何切口，否则在印刷复合时容易撕裂。　　4)BOPP薄膜表面能低，涂胶或者印刷前需要进行电晕处理，有很好的印刷适应性，　　但有一定期限，过期

2、后表面能也不好。　　5)BOPP薄膜耐热性高，使用温度可达120℃，是通用塑料中最耐温的。　　6)BOPP薄膜化学稳定性好，除强酸对它有腐蚀作用外，不溶于其他溶剂。　　7)BOPP薄膜阻水性极佳，是阻水防潮最佳材料之一，吸水率250K时，间接跃迁的禁带宽度随温度的升高而直线地减小，在较低温度时Eg随温度的变化较慢。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培

3、训计划　　电学性能与硅材料的结构缺陷和所含杂质情况有很大的关系。对于结晶结构完美的高纯单晶硅，在T=300K时电子和空穴的漂移迁移率分别为1350和500，电子和空穴的霍尔迁移率分别为1900和425。由于外延硅膜中存在不少缺陷，因此其载流子的迁移率比单晶硅片的要低些。　　对于用外延法制备的单晶硅薄膜来说，最终目的是要求具有适于某些应用目的的规定的性能参数。除了要求达到规定的厚度和厚度均匀外，外延单晶硅薄膜最重要的是性能是缺陷程度、电阻率以及杂质分布曲线。这些性能主要取决于外延膜生长条件，在为了达到某一规定性能而必须改变外延条件时，就不可避免

4、的会引起外延膜其他性能的变化。　　外延单晶硅膜的结构完美性比单晶硅的差，外延硅膜的结构完美性处于单晶和多晶硅之间，在生产中应尽力制造出结晶结构完美的单晶薄膜。　　外延的主要任务之一是制得高纯单晶膜，这对于制备电阻率高的膜，或者在生长过程中为了保证外延膜掺杂的有利条件和实现精密掺杂都是十分必要的。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　通常，未专

5、门掺杂的外延膜的纯度用电阻率来评价。以用的较多的四氯化硅氢还原法为例，未专门掺杂的外延硅膜的电阻率取决于许多因素，除了衬底杂质向外延硅膜转移所造成的自掺杂外，重要的因素还包括原料的纯度、反应器和气体管道的清洁度以及薄膜的生长条件。用吸附法提纯的四氯化硅能生长电阻率为20-100的硅膜。杂质一方面是外延硅膜电阻率降低，另一方面也影响薄膜电物理性能的反复性。　　2.多晶硅薄膜　　多晶硅一直是制备单晶硅的材料，在一段时间里利用单晶硅制造半导体器件和集成电路之后，又同时积极使用多晶硅薄膜。为了提高器件性能和开辟微电子学新的前景，自1966年出现第一只

6、多晶硅MOS场效应晶体管以来，多晶硅薄膜的研究有了很大的进展，目前它在一些半导体器件及集成电路中得到了广泛的应用。　　重掺杂多晶硅薄膜可用作MOS晶体管的栅极材料，还可同时作为集成电路的内部互连引线，这可大大提高集成电路的设计灵活性，简化了工艺过程。在MOS集成电路中，重掺杂多晶硅薄膜常用作电容器的极板、M0S随机存储器电荷存储元件的极板、浮栅器件的浮栅、电荷耦合器件的电极等。轻掺杂薄膜常常用于集成电路中MOS随机存储器的负荷电阻器及其他电阻器。　　在双极集成电路中，掺杂多晶硅薄膜可用作制造集成晶体管的掺杂扩散源。在超高速集成电路或微波器件中

7、，扩散深度很浅，掺杂多晶硅薄膜本身就是晶体管发射区的一部分，一次这样得到的是多晶硅发射极自校准晶体管，其发射极放大系数比通常晶体管高3-10倍。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　多晶硅薄膜适于制造面积大的p-n结，一次它用于制造太阳能电池，且比单晶硅要便宜很多。但是，多晶硅中存在的晶粒间界影响太阳能电池的能量转换效率。多晶硅薄膜常用化学气

8、相沉积法制备。　　多晶硅薄膜的结构　　采用低压化学气相沉积法生长的硅膜结构受到生长温度、掺杂剂、杂质以及沉积后热处理的强烈影响。在低压热分解硅烷法条件下，生长温度低