光电薄膜材料

《光电薄膜材料》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划光电薄膜材料　　光电薄膜　　物质在受到光照以后，往往会引发某些电性质的变化，亦称光电效应。光电效应主要有光电导效应、光生伏特效应和光电子发射效应3种。　　物质受光照射作用时，其电导率产生变化的现象，称为光电导效应。如果光照射到半导体的p-n结上，则在p-n结两端会出现电势差，p区为正极，n区为负极，这一电势差可以用高内阻的电压表测量出来，称为光生伏特效应。当金属或半导体受到光照射时，其表面和体内的电子因吸收光子能量而被激发，如果被激发的电子具有足够的能量，足以

2、克服表面势垒而从表面离开，产生了光电子发射效应。前两种效应在物体内部发生，统称为内光电效应，它一般发生于半导体中。光电子发射效应产生于物体表面，又称为外光电效应，它主要发生于金属或半导体中。　　光电导薄膜材料包括：Ge和Si单晶及以它们为基础的掺杂体；化合物半导体有CdS,CdSe,CdTe,ZnSe,HgSe,HgTe,PbS,PbSe,InP,InAs,InSb,GaAs,GaSb等。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利

3、开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划光电薄膜材料　　光电薄膜　　物质在受到光照以后，往往会引发某些电性质的变化，亦称光电效应。光电效应主要有光电导效应、光生伏特效应和光电子发射效应3种。　　物质受光照射作用时，其电导率产生变化的现象，称为光电导效应。如果光照射到半导体的p-n结上，则在p-n结两端会出现电势差，p区为正极，n区为负极，这一电势差可以用高内阻的电压表测量出来，称为光生伏特效应。当金属或半导体受到光照射时，其表面和体内的电子因吸收光子能量而被激发，如果被激发的电子具有足够的能量，足以克服表面势垒而从表面离开，产生了光电子发射效应。前两种效应

4、在物体内部发生，统称为内光电效应，它一般发生于半导体中。光电子发射效应产生于物体表面，又称为外光电效应，它主要发生于金属或半导体中。　　光电导薄膜材料包括：Ge和Si单晶及以它们为基础的掺杂体；化合物半导体有CdS,CdSe,CdTe,ZnSe,HgSe,HgTe,PbS,PbSe,InP,InAs,InSb,GaAs,GaSb等。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　

5、在半导体薄膜中硅薄膜是最重要的一种。硅薄膜按结晶结构可分为单晶、多晶和非晶。其中单晶硅薄膜广泛的用于制造各种半导体器件和集成电路。多晶硅薄膜则在一些半导体器件、集成电路及太阳能电池中得到了广泛的应用。非晶硅薄膜目前主要用于制造太阳能电池。　　1.单晶硅薄膜　　在半导体技术中，单晶硅薄膜是采用外延法制备的，制备单晶硅薄膜的外延方法可以分为气相外延、固相外延和分子束外延等。在绝大多数的情况下衬底材料采用单晶硅片。外延薄膜的生长是沿着原来硅片的结晶轴方向进行的，犹如从单晶衬底向外延伸新的单晶薄膜。单晶薄膜也可以生长在与膜材料不同的衬底上。外延法只能制备薄膜单晶而不能得到大块单

6、晶材料。但这种单晶薄膜的质量很好，而且由于其形成工艺的特点而具有一些很有价值的电物理特性。正是由于外延硅薄膜的优良特性，解决了原来半导体器件工艺中一些难以解决的矛盾。例如，在电阻率很低的单晶硅片的衬底上沉积一层电阻率高的外延硅薄膜作为晶体管的集电区，既增大了晶体管的功率，又提高了截止频率和反向击穿电压。半导体器件中采用外延薄膜后大大改进了晶体管的频率响应、脉冲性能和开关特性。由于采用外延工艺，使得双极型集成电路制造工艺大大简化。外延单晶硅薄膜不仅提高了半导体器件的性能，而且大大促进了半导体器件的发展和应用。　　单晶硅薄膜的结构目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，

7、并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　硅单晶具有金刚石型晶体结构。尽管外延单晶硅薄膜的晶体完美性在不断的提高，但是与块状单晶硅相比总存在比少缺陷。外延硅薄膜的缺陷是一个很重要的问题，因为它直接影响薄膜及用薄膜制成的半导体器件的点物理特性。外延硅薄膜的缺陷情况与衬底以及外延条件有关。外延硅膜缺陷的种类很多，通常包括表面缺陷和体内缺陷两类。　　为了得到结构完美的单晶薄膜，衬底表面的质量