cui薄膜的制备和光电特性研究

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1、＼分类号；０４７２密级：公开－－－档案号６０６０８０８０３０ＭＯ－：２０１Ｃ００５学１３１１０８４００号：６堯抑解义考ＳＵ之ＨＯＵ＊ＵＮＩＶ巨ＲＳＳＹＦＳ幻ＥＮＯＣＥＡｒｃＴＥＣＨＮＣＬＯＧｙ硕：ｂ学位论文（学术学位）论文题目：Ｃｕｌ薄膜的制备和光电特性研究学生姓名：王强指导教师姓名；马锡英学科口类？：工学专业名称：光学工程研究方向：光电材料与器件二〇—六年六月苏州科技大学硕士学位论文CuI薄膜的制备和光电特性研究学生姓名：王强指导教师姓名：马锡英专业名称：光学工程

2、苏州科技大学数理学院二○一六年六月MasterDissertationofSuzhouUniversityofScienceandTechnologyFabricationandinvestigationofthephotoelectricpropertiesofCuIfilmsMasterCandidate:WangQiangSupervisor:MaXiyingMajor:OpticalEngineeringSuzhouUniversityofScienceandTechnology+SchoolofMathematicsandPhysicsJun

3、e,2016学号：１３１１０８４００６学位论文答辩委员会名单￣￣姓名专业技术职务现从事专业工作单位、部ｎ签名ＩＩＩ主席陈磊ｒａ光社程南京学＊誤富嗦磊高炬正高光学工極苏州科技大学委徐国定山高光学Ｔ；稍苏州科技乂学衡犯Ｉ潘涛山高１光学．；釉苏州科技大黄员／，私皆－＾？：：，’王晓丹副高Ｉ光学；粘苏州科技大学＇马春兰副高光学工程苏州科技大学Ｊ著多换＾：＼ｒＩ．一。’４；叫綱熙／一－驚参Ｉ＇＂Ｖ－王强同学学位论文答辩成绩８；＿千质

4、量等级（分优秀、良好、合格和不合格四等）。答辩委员会主席（签名）：（单位公章）＾？＇年ｔ月义曰又１苏州科技大学硕士学位论文摘要摘要碘化亚铜（γ-CuI）作为I–VII族半导体，属于p型宽带隙高电导率的材料，具有闪锌矿晶体类型、独特的光电特性，是优秀的空穴传输材料，在钙钛矿、聚合物、异质结等太阳能电池领域中具有巨大的潜在应用价值，已成为专家学者研究的热点。本文主要讨论了连续提拉法、化学气相沉积法制备CuI薄膜，并探讨了基于CuI薄膜的异质结的光电特性。本文首先利用连续提拉法，以碘化亚铜饱和溶液为前驱液，在ITO透明导电玻璃衬底上制备了Cu

5、I薄膜。通过金相显微镜、X-射线衍射仪、分光光度计、扫描电子显微镜、霍尔效应仪等仪器讨论了提拉次数（10次、20次、30次）对CuI薄膜光电特性的影响。发现连续提拉20次时，薄膜的光电特性最好，薄膜表面颗粒大小适中，分布较为均匀。另外，研究了银掺杂对提拉法制备的CuI薄膜的光电特性的影响，实验发现，掺银并没有改变薄膜的光电特性和晶体结构，而是提高了薄膜的光电特性和结晶度，掺杂在薄膜生长过程中起到了催化作用。由于提拉法制备的薄膜结晶度较低，本文还利用化学气相沉积法，以掺银的碘化亚铜饱和溶液作为前驱溶液，氩气为输运气体，在硅（Si）和石英玻璃衬底上沉积生长

6、CuI薄膜，探究了反应时间（20min、40min、60min）对CuI薄膜光电特性和表面形貌结构的影响。发现随着反应时间的增加，薄膜的表面相貌越来越平整，越容易获得大面积的薄膜样品，光电特性也随时间的增加有所提高。同时，本文还对比了化学气相沉积法和连续提拉法制备的CuI薄膜及其光电特性。通过实验数据的表征，发现化学气相沉积法制备的CuI薄膜具有更好的光电特性。最后，本文利用化学气相沉积法，以掺银的硫化钼和碘化亚铜饱和溶液作为前驱溶液，氩气为输运气体，在FTO导电玻璃衬底上制备了CuI/MoS2异质结。探讨了CuI和MoS2薄膜的表面相貌、晶体结构、光

7、吸收特性和电学特性。CuI/MoS2异质结的光吸收波段几乎包括了整个近紫外、可见光、近红外波段，有助于提高该异质结的光电响应及光伏特性。CuI/MoS2异质结表现出很好的整流特性,并在有光照的条件下具有良好的光电特性和光电响应特性，说明该异质结适于制备高效率的光电子器件。关键词:碘化亚铜，提拉法，化学气相沉积法，光电特性，异质结苏州科技大学硕士学位论文AbstractAbstractCuprousiodide(γ-CuI),I-VIIsemiconductorwithbroadbandenergygap,highconductivityandzincb

8、lendestructure,isaexcellenthole-transportingmat