电子在硅材料中的扩散速率

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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划电子在硅材料中的扩散速率　　1硅单质是_A__。　　A半导体B导体C绝缘体。　　2只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是__C__。　　A线缺陷B面缺陷C点缺陷D体缺陷　　3下列是晶体的是__B__。　　A玻璃B硅C松香D塑料　　4晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是__A__。　　A固相生长B液相生长C气相生长　　5在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在__D___以上。　　A90%B92%C95%D97%　　6对于铸造多晶硅氧浓度越__，钝化效果越__，少数载流子寿命增加

2、越__A.　　A低，好，多B低，好，少C低，差，多D高，好，多　　7在工业生产中广泛用的是___C___。　　A化学清洗Brca清洗C超声波清洗　　8.半导体硅工业产品不包括__D__.　　①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅　　A.①②④B.①②③④C.②③④D.③④　　9.硅片制备主要工艺流程是__A__。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻

3、→抛光→硅片检测→打包　　B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包　　C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包　　D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包　　10.下列说法错误的是__A__。　　A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大　　B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦　　C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减　　D.增大坩埚内径与晶体直径的比值　　1、如何从石英砂制取硅？说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是　　A

4、、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长　　B、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长　　C、加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　D、加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长2、多晶硅的生产方法主要包含：　　1、SiCl4法2、硅烷法3、流化床法4、西门子改良法5、

5、冶金法6、气液沉淀法　　7、重掺硅废料提纯法　　A、1234B、123C、1456D、4567　　3、直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？　　A、3B、5C、4D、2　　4、正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是　　A、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包　　B、单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包　　C、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包　　D、单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包　　5、那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素　　A、分凝B、蒸发C、坩埚污染　　D、

6、损坏　　6、属于晶体缺陷中面缺陷的是　　A、位错B、螺旋位错C、肖特基缺陷　　D、层错目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　7、半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率()　　A、越高B、不确定C、越低D、不变　　8、用能量禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。　　A、低于B、等于或大于C、大于　　D、小于或等于　　9、单晶硅晶胞常数为,

7、则的面间距是多少？　　A、B、C、　　D、　　10、简述光生伏特效应中正确的是　　A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；　　B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；　　C、平衡载流子破坏原来的热平衡；　　D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若　　p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。　　答案AABADDCBCD　　1、属于晶体缺陷中面缺陷的是　　A位错B