2013高考物理 能力提升知识点优化 单元评估检测(九)

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1、2013高考物理能力提升知识点优化：单元评估检测(九)第九章(40分钟100分)一、单项选择题(本大题共5小题，每小题6分，共30分，每小题只有一个选项符合题意)1.关于磁场和磁感线的描述，正确的说法是(　　)A.磁感线从磁体的N极出发，终止于S极B.磁场的方向就是通电导体在磁场中某点受磁场作用力的方向C.沿磁感线方向，磁场逐渐减弱D.在磁场强的地方同一通电导体受的安培力可能比在磁场弱的地方受的安培力小2.根据所学知识判断图中正确的是(　　)3.粒子甲的质量与电荷量分别是粒子乙的4倍与2倍，两粒子均带正电，让它们在匀强磁场中同一点以大小相等、方向相反的速度开始

2、运动.已知磁场方向垂直纸面向里.以下四个图中，能正确表示两粒子运动轨迹的是(　　)4.下列四个实验现象中，不能表明电流能产生磁场的是(　　)A.甲图中，导线通电后磁针发生偏转B.乙图中，通电导线在磁场中受到力的作用C.丙图中，当电流方向相同时，导线相互靠近D.丁图中，当电流方向相反时，导线相互远离5.(创新题)如图所示，竖直放置的平行板电容器，A板接电源正极，B板接电源负极，在电容器中加一与电场方向垂直的、水平向里的匀强磁场.一批带正电的微粒从A板中点小孔C射入，射入的速度大小方向各不相同，考虑微粒所受重力，微粒在平行板A、B间运动过程中(　　)A.所有微粒的

3、动能都将增加B.所有微粒的机械能都将不变C.有的微粒可以做匀速圆周运动D.有的微粒可能做匀速直线运动二、双项选择题(本大题共5小题，每小题8分，共40分，每小题有两个选项符合题意)6.如图所示，在竖直向上的匀强磁场中，水平放置着一根长直导线，电流方向垂直纸面向外，a、b、c、d是以直导线为圆心的同一圆周上的四点，在这四点中(　　)A.a、b两点磁感应强度相同B.c、d两点磁感应强度大小相等C.a点磁感应强度最大D.b点磁感应强度最大7.(易错题)如图是医用回旋加速器示意图，其核心部分是两个D形金属盒，两金属盒置于匀强磁场中，并分别与高频电源相连.现分别加速氘核

4、(H)和氦核(He).下列说法中正确的是(　　)A.它们的最大速度相同B.它们的最大动能相同C.它们在D形盒中运动的周期相同D.仅增大高频电源的频率可增大粒子的最大动能8.(易错题)有一个带电量为＋q，重为G的小球，从两竖直的带电平行板上方h处自由落下，两极板间匀强磁场的磁感应强度为B，方向如图所示，则带电小球通过有电场和磁场的空间时(　　)A.不可能做匀速运动B.有可能做匀加速直线运动C.不可能做曲线运动D.一定做曲线运动9.(创新题)如图所示，一块长度为a、宽度为b、厚度为d的金属导体，当加有与侧面垂直的匀强磁场B，且通以图示方向的电流I时，用电压表测得导

5、体上、下表面MN间电压为U，已知自由电子的电量为e.下列说法中正确的是(　　)A.M板比N板电势高B.导体单位体积内自由电子数越多，电压表的示数越大C.导体中自由电子定向移动的速度为v＝U/BdD.导体单位体积内的自由电子数为BI/eUb10.(2012·潮州模拟)质量为m、电量为e的电子的初速为零，经电压为U的加速电场加速后进入磁感应强度为B的偏转磁场(磁场方向垂直纸面)，其运动轨迹如图所示，则(　　)A.加速电场的场强方向竖直向上B.偏转磁场的磁场方向垂直纸面向里C.能求出电子经加速电场加速后，开始进入磁场时的动能D.能求出电子在磁场中所受洛伦兹力的大小三

6、、计算题(本大题共2小题，共30分，要有必要的文字说明和解题步骤，有数值计算的要注明单位)11.(预测题)(15分)在电子显像管内部，由炽热的灯丝上发射出的电子在经过一定的电压加速后，进入偏转磁场区域，最后打到荧光屏上，当所加的偏转磁场的磁感应强度为零时，电子应沿直线运动打在荧光屏的正中心位置.但由于地磁场对带电粒子运动的影响，会出现在未加偏转磁场时电子束偏离直线运动的现象，所以在精密测量仪器的显像管中常需要在显像管的外部采取磁屏蔽措施以消除地磁场对电子运动的影响.已知电子质量为m、电荷量为e，从炽热灯丝发射出的电子(可视为初速度为零)经过电压为U的电场加速后

7、，沿水平方向由南向北运动.若不采取磁屏蔽措施，且已知地磁场磁感应强度的竖直向下分量的大小为B，地磁场对电子在加速过程中的影响可忽略不计.在未加偏转磁场的情况下，(1)试判断电子束将偏向什么方向；(2)求电子在地磁场中运动的加速度的大小；(3)若加速电场边缘到荧光屏的距离为l，求在地磁场的作用下使到达荧光屏的电子在荧光屏上偏移的距离.12.(2011·北京高考)(15分)利用电场和磁场，可以将比荷不同的离子分开，这种方法在化学分析和原子核技术等领域有重要的应用.如图所示的矩形区域ACDG(AC边足够长)中存在垂直于纸面的匀强磁场，A处有一狭缝.离子源产生的离子经

8、静电场加速后穿过狭缝沿垂直于GA边且垂