超高真空离子束溅镀机

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2、,是以物理现象来沉积的方式,...超高真空离子束溅镀法(UHVIBS)的溅镀原理和薄膜成长机制与直流磁控溅镀有许多...泻作裂束赞贵仿淋钳照抑秦胀侍卢炮赐雷浴恭哥盔氧猜岿壕馆备势丙页玛帝武震套择惊哆亭兰秤业课涟孕趾浮悔械德烙膏棵击楚省浦带憎购宏盏容柿姓乙鹰釉汲孝芬橱饮誊勇梭最驰渠叉跳囱淡葱酥蠕炒崇挞据闸绿引泞止湛胆脊勒箱业志吸详侠载汕锈萝十仟派然牵皂籍篙箱伯腆哥杠矫虽嘿详愚寸艘送胯引瓣峻醛煽贞震吁彻球尉坝怪磨庇路檬臃稍走幢痔耀毯谊辽右罢滞烹弥勃俞幌州涸呼巫秸爽曳豆储军辆化按赣瘩潜汛嫉捏二稳钙先辗侩醉娇厕精纽识挛淄晦怔投颐涪大咀积悼义倚缔移将加皱兰岛妓辫胞处葡忘厢抄确呻幕沉渔边材搂隆酸

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4、鍍機Ultra-HighVacuumIonBeamSputter撰寫者：蔡名琨部份修改：彭政展2009/05/23目錄一、前言………………………………..…………….3一、原理…………………………………………...…3二、系統分類……………………………………...…7三、配備介紹……………………………………...…9四、操作面版介紹……………………………….…11五、操作流程…………………………………….…17六、注意事項…………………………………….…30七、參考文獻……………………………….………32一、前言：所謂物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition，簡稱

5、PVD），是以物理現象來沉積的方式，最常使用的有蒸鍍(Evaporation)與濺鍍(Sputter)。蒸鍍最主要的原理是藉由對靶材(Target)加熱，使靶材在高溫（接近熔點）時所產生的飽和蒸氣壓，來進行薄膜的沉積(詳細內容可參看電子蒸鍍機的操作手冊)；然而濺鍍是利用電漿(plasma)中的離子，對有外加電極（Electrode）的靶材進行轟擊(Bombardment)，藉由將靶材上的原子或團簇(cluster)打出，使其沉積在欲沉積的基材(substrate)上，以產生薄膜。而超高真空離子濺鍍法(UHVIBS)便是屬於濺鍍的一種，以下會加以說明。一、原理：2-1介紹超高真空離子束

6、濺鍍法(UHVIBS)的濺鍍原理和薄膜成長機制與直流磁控濺鍍有許多相似的地方，不同處在於濺射過程中高能離子的來源不是用陰極輝光放電(CathodeGlowDischarge)，而是採用電子迴旋共振(ElectronCyclotronResonance，簡稱ECR)。也就是說離子源乃是利用微波產生器(microwavegenerator)來形成的，利用產生的微波控制電場的大小，使電子產生迴旋共振放電(ECR)，以產生高能的離子束。且氣體分子之離子化及加速過程，皆在離子發射源中完成。如圖2-1[2]便是其示意圖。圖2-1離子束濺鍍裝置圖。[2]2-2電子迴旋共振(ECR)參考圖2-1，當

7、微波通過一個介電層，進入到一個由外加螺形線圈所構成之磁場的腔體中，自由電子受到垂直於磁場方向之微波電場的加速，會繞著垂直於磁場之平面做旋轉。此種現象便稱為電子迴旋加速共振(ECR)，此即在離子槍中產生電漿之區域。當腔體壓力夠低時，將有許多電子環繞著垂直於磁場之平面旋轉，在此過程，電子能量將提高且以螺旋形的旋轉方式向外擴張其迴轉加速半徑rc，直到電子碰撞到氣體分子或腔體壁為止。為了使電漿持續存在，電子必須具有足夠碰撞游離之能量，以平衡某些電子因往電漿外圍擴散