透射电子显微学的研究及应用

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1、透射电子显微学的研究及应用摘要本论文利用现代透射电子显微学研究功能薄膜得微观结构，通过微观结构结解释其宏观物理性能，发展新应用以及纳米材料的力学性能的研究，从而发展纳米器件。主耍内容根据材料的不同分为两大部分，具体如下：第一部分：Ge2Sb52Te薄膜的电子显微学研究及应用利用TEM对Ge2Sb52Te相变薄膜晶化进行了详细的研究，研究了不同条件如电子束能量、束流密度和辐照时间等条件下电子束对Ge2Sb52Te结品的影响，确定了点品化最佳电子辐照强度以及品化时间，利用对透射电镜扫描附件进行编程实现电了束移动及持续时间的可控，并利用可控聚焦电子束在非晶GST薄膜上成功制备了高密度晶化

2、点阵，信息存储密度高达0.8Tbit/in2・第二部分：操作、测量纳米线的性能利用发展的原位高分辨透射镜单根纳米线的操纵技术，通过对单根SIC纳米线的连续弯曲变形，首次发现了SIC纳米线在室温下具有大应变塑性变形特征。原位动态研究结果表明了大应变塑形是通过劲歌弯曲、位错形核和增殖、非晶化以及SIC的生长的伸长等微结构演变而产生。关键词：透射电子显微镜、功能薄膜、纳米材料AbstractInthispapertheuseofmoderntransmissionelectronmicroscopystudyofthemicrostructurefeaturefilmwasbythema

3、cro-microstructureresultsexplainthephysicalproperties,thedevelopmentofnewapplications,andmechanicalpropertiesofnano-materialsresearchtothedevelopmentofnanoscaledevices.Maincontentofthematerialweredividedintotwoparts,asfollows:Parlt:Ge2Sb52TefilmstudyandapplicationofelectronmicroscopyheuseofTEM

4、forphase-changefilmcrystallizationGe2Sb52Teadetailedstudyofeffectsofdifferentconditions,suchaselectronbeamenergy,beamdensityandirradiationtimeundertheconditionsofelectronbeamGe2Sb52TeCrystallizationdeterminethecrystallizationpointofthebestelectronicradiationintensityandthecrystallizationtime,t

5、heuseofscanningelectronmicroscopeattachmentoftheelectronbeammovingprogramminganddurationofcontrol,andtheuseofcontrolledelectronbeamfocusedontheamorphousGSTfilmwassuccessfullypreparedhigh-densitycrystallinelattice,informationstoragedensityofupto0.8Tbit/in2.Part2:operating,measuringtheperformari

6、ceofnanowireKeywords:Thedevelopmentofinsituusinghigh・resolutiontransmissionmicroscopemanipulationofsinglenanowiretechnology,throughasingleSICcontinuousbendingnanowire,firstdiscoveredtheSICnanowiresatroomtemperaturewithalargestrainplasticdeformation.TheresultsshowthattheinsitudynamicshapingbyHi

7、tBigbendstrain,dislocationnucleationandproliferation,thegrowthofamorphousandSICelongationarisingfromtheevolutionofsuchmicrostructure.transmissionelectronmicroscopy,functionalfilms,nmno・materials1引言荷兰人胡克发明了世界上第一台光学显微镜，从而开始了人类使用仪器研究微观世界的新