noonoo在局灶性脑缺血再灌注损伤中的作用及其机制研究

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1、中文摘要启动或抑制。日益增多的证据表明：神经元凋亡存在于缺血性脑损伤中，特别在迟发性神经元死亡中发挥重要作用。离体实验表明，高浓度的NO／ON00可诱导多种类型的细胞发生凋亡。但NO／0N00一在脑缺血再灌注所致细胞凋亡中的作用及其基因调控，国内外研究均很少。线粒体是真核细胞中的一种重要的细胞器。近几年的研究表明：在细胞凋亡过程中，线粒体不仅对细胞凋亡的启动和调控具有重要意义，而且是凋亡执行的关键元件。死亡信号诱使线粒体通透性转换(mitochondrialpermeabilitytransition，mPT)孔开启，线粒体膜电位(么v。)消失

2、，凋亡相关蛋白释放，Caspases酶激活，这是细胞凋亡的最基本生化途径。近年发现，线粒体内存在独立的线粒体NOS(mitochondrialnitriCoxidesynthase，mtNOS)，因此，线粒体不仅可生成oi，也是NO的重要来源，后两者快速结合生成ON00一造成线粒体损伤。明确线粒体反应的特点将有助于阐明脑缺血时细胞死亡的机制，并为治疗提供新的靶点。本研究在大鼠局灶性脑缺血再灌注模型上观察了ON00一的生成和定位及脑组织超微结构的改变；观察了给予选择性nNOS抑制剂7-NI和选择性iNOS抑制剂AG对脑缺血再灌注后脑组织损伤及细胞

3、凋亡的影响，并对其基因调控进行了探讨；观察了NO在高ca”所致线粒体损伤中的作用。研究内容和结果如下：1大鼠局灶性脑缺血再灌注中ON00一的生成及脑组织损伤的改变采用线栓法可逆性闭塞大鼠左侧大脑中动脉(middlecerebralarteryoclussion，MCAO)，分别于缺血2h(12h)，缺血2h再灌注6h(12h／R6h)，12h(12h／R12h)，Id(12h／Rld)，3d(12h／R3d)取材。硝酸还原酶法测定脑组织N0含量，免疫组化法观察0N00一的特异性标志物硝基酪氨酸(nitrotyrosine，NT)的生成和定位，戊

4、巴比妥酸法测定MDA含量，透射电镜观察脑组织超微结构的变化。结果如下：1．1NO含量变化：假手术组、12h、12h／R6h、12h／R12h、12h／Rld、12h／R3d脑组织NO含量分别为6．02±O．81umol／gpr、11．85±1．36umol／gpr、15．94±2．Olumol／gpr、18．66±1．98umol／gpr、23．74±1．63umol／gpr、20。80±2．16umol／gpr。脑缺血后NO水平升高(P<0．01)，再灌注后NO升高更为明显并随再灌注时间延长逐渐升高，至12h／Rld达高峰，显著高于缺血前水平

5、(P<0．001)，12h／R3d，NO水中文摘要平略有下降仍维持较高水平(P

6、NT除在小血管表达外，还定位于损伤神经元及炎症细胞。1．3MDA含量变化：假手术组、12h、12h／R6h、12h／R12h、12h／R1d、12h／R3d组脑组织MDA含量分别为3．23i0．68nmol／ml、6．52i0．97nmol／ml、12．31i1．02i]m01／ml、14．59±1．15nmol／ml、19．96i1．43nmol／ml、18．72i2．66nmol／ml。与假手术组相比，12h脑组织MDA含量即有明显升高(P

7、高于假手术组水平(P<0．001)，12h／R3dMDA水平略有下降，但仍维持较高水平(P<0．001)。1．4超微结构变化：假手术组神经元结构正常，随脑缺血再灌注时间延长，神经元超微结构破坏逐渐加重，细胞核常染色质减少，异染色质增多，出现核膜下边集现象；粗面内质网明显扩张，水肿，脱颗粒；线粒体肿胀，嵴断裂，溶解，消失；至I／Rld及3d结构完整的神经元很难观察到，残存的神经元细胞器减少，消失，胞质空泡化。突触也表现为进行性数密度降低，结构破坏。综上所述，本部分得出以下主要结论：大鼠局灶性脑缺血／再灌注后，N0合成增多，缺血脑组织中有NT表达，

8、且随再灌注时间延长表达逐渐增强，至ld达高峰，3d仍维持较高水平。同时脑组织脂质过氧化水平升高，神经元超微结构破坏逐渐加重，突触的数密度降低，结构破坏